টাইপ. | বর্ণনা |
পার্ট স্ট্যাটাস | Obsolete |
---|---|
FET প্রকার | 2 N-Channel (Half Bridge) |
FET বৈশিষ্ট্য | GaNFET (Gallium Nitride) |
উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss) | 600V |
কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড | 70A (Tc) |
আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস | 34 mOhm @ 30A, 8V |
ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি | - |
গেট চার্জ (কিউজি) (সর্বাধিক) @ ভিজিএস | 28nC @ 8V |
ইনপুট ক্যাপাসিট্যান্স (সিএসএস) (সর্বোচ্চ) @ ভিডিএস ds | 2260pF @ 100V |
শক্তি - সর্বোচ্চ | 470W |
অপারেটিং তাপমাত্রা | -40°C ~ 150°C (TJ) |
মাউন্টিং প্রকার | Through Hole |
প্যাকেজ / কেস | Module |
সরবরাহকারী ডিভাইস প্যাকেজ | Module |
RoHS অবস্থা | RoHS সঙ্গতিপূর্ণ |
---|---|
আর্দ্রতা সংবেদনশীলতা স্তর (এমএসএল) | প্রযোজ্য নয় |
জীবনযাত্রার অবস্থা | অপ্রচলিত / জীবনের শেষ |
স্টক বিভাগ | মজুতে সহজলভ্য, সহজপ্রাপ্ত, সহজলভ্য |