ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - একক | বিবিধ অর্ধপরিবাহী পণ্য | 100

BSP373 E6327

পার্ট স্টক: 119

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.7A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 300 mOhm @ 1.7A, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP324 E6327

পার্ট স্টক: 172

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 400V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 170mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 Ohm @ 170mA, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP372 E6327

পার্ট স্টক: 155

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.7A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 5V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 310 mOhm @ 1.7A, 5V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP320S E6433

পার্ট স্টক: 110

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.9A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP320S E6327

পার্ট স্টক: 88

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.9A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 120 mOhm @ 2.9A, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP300L6327HUSA1

পার্ট স্টক: 138

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 800V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 190mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 20 Ohm @ 190mA, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP318S E6327

পার্ট স্টক: 158

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.6A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 90 mOhm @ 2.6A, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP300 E6327

পার্ট স্টক: 95

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 800V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 190mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 20 Ohm @ 190mA, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP299 E6327

পার্ট স্টক: 166

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 500V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 400mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4 Ohm @ 400mA, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP298 E6327

পার্ট স্টক: 6031

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 400V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 500mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP298L6327HUSA1

পার্ট স্টক: 5657

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 400V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 500mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP296 E6433

পার্ট স্টক: 127

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.1A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 700 mOhm @ 1.1A, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP297 E6327

পার্ট স্টক: 144

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 660mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP149 E6906

পার্ট স্টক: 78

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 660mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP149L6906HTSA1

পার্ট স্টক: 6023

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 660mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP149 E6327

পার্ট স্টক: 156

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 660mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP135L6906HTSA1

পার্ট স্টক: 6085

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 120mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP135L6327HTSA1

পার্ট স্টক: 106

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 120mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP135 E6906

পার্ট স্টক: 6091

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 120mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP135 E6327

পার্ট স্টক: 155

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 120mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP129L6906HTSA1

পার্ট স্টক: 84

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 240V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 350mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP129L6327HTSA1

পার্ট স্টক: 124

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 240V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 350mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 0V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP125L6327HTSA1

পার্ট স্টক: 78

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 120mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP125 E6433

পার্ট স্টক: 112

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 120mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSO613SPV

পার্ট স্টক: 84

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.44A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 130 mOhm @ 3.44A, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSP125 E6327

পার্ট স্টক: 165

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 120mA (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 Ohm @ 120mA, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSO200P03SNTMA1

পার্ট স্টক: 88

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.4A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 20 mOhm @ 9.1A, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSO130P03SNTMA1

পার্ট স্টক: 98

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9.2A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 13 mOhm @ 11.3A, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSO104N03S

পার্ট স্টক: 120

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 9.7 mOhm @ 13A, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSC106N025S G

পার্ট স্টক: 139

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 13A (Ta), 30A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10.6 mOhm @ 30A, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSO064N03S

পার্ট স্টক: 78

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 12A (Ta), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6.4 mOhm @ 16A, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSC085N025S G

পার্ট স্টক: 101

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 14A (Ta), 35A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 8.5 mOhm @ 35A, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSC072N025S G

পার্ট স্টক: 86

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 15A (Ta), 40A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 7.2 mOhm @ 40A, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSC052N03S G

পার্ট স্টক: 69

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 18A (Ta), 80A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5.2 mOhm @ 50A, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSC032N03S

পার্ট স্টক: 141

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 23A (Ta), 100A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3.2 mOhm @ 50A, 10V,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

BSC037N025S G

পার্ট স্টক: 115

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 21A (Ta), 100A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3.7 mOhm @ 50A, 10V,

শুভেচ্ছা