ট্রানজিস্টর - জেএফইটি

2SK3666-2-TB-E

পার্ট স্টক: 158873

FET প্রকার: N-Channel, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 600µA @ 10V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 10mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 180mV @ 1µA,

2N5116JTXL02

পার্ট স্টক: 945

2N5116JTX02

পার্ট স্টক: 1019

2N5116JTVL02

পার্ট স্টক: 724

2N4392

পার্ট স্টক: 3873

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 25mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2V @ 1nA,

2N4859

পার্ট স্টক: 1419

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 175mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 10V @ 500pA,

2N4860

পার্ট স্টক: 1372

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 100mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 6V @ 500pA,

2N4092UB

পার্ট স্টক: 1695

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 15mA @ 20V,

2N4860UB

পার্ট স্টক: 1005

2N5115UB

পার্ট স্টক: 1497

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 60mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 6V @ 1nA,

2N4857

পার্ট স্টক: 1371

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 100mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 6V @ 500pA,

2N4392UB

পার্ট স্টক: 2522

2N2609

পার্ট স্টক: 256

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 2mA @ 5V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 10mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 750mV @ 1A,

2N4091UB

পার্ট স্টক: 1561

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 30mA @ 20V,

2N4092

পার্ট স্টক: 2296

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 15mA @ 20V,

2N4858

পার্ট স্টক: 1388

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 80mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 4V @ 0.5nA,

2N4859UB

পার্ট স্টক: 1010

2N4857UB

পার্ট স্টক: 1002

2N4391

পার্ট স্টক: 66304

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 50mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 4V @ 1nA,

2N4856

পার্ট স্টক: 1393

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 175mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 10V @ 500pA,

2N4393UB

পার্ট স্টক: 2593

2N4858UB

পার্ট স্টক: 1010

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 8mA @ 15V,

2N3821

পার্ট স্টক: 2866

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 50V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 50V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 2.5mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 4V @ 0.5nA,

2N4091

পার্ট স্টক: 2228

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 30mA @ 20V,

2N3823

পার্ট স্টক: 2889

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 20mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 8V @ 500pA,

2N5114

পার্ট স্টক: 2096

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 90mA @ 18V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 10V @ 1nA,

2N5115

পার্ট স্টক: 2081

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 60mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 6V @ 1nA,

2N4391UB

পার্ট স্টক: 2556

2N4093UB

পার্ট স্টক: 1735

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 8mA @ 20V,

2N4856UB

পার্ট স্টক: 1030

2SK879-Y(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 198791

FET প্রকার: N-Channel, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 1.2mA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 400mV @ 100nA,

2SK2145-GR(TE85L,F

পার্ট স্টক: 405

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 2.6mA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 200mV @ 100nA,

2SK879-GR(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 389

FET প্রকার: N-Channel, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 2.6mA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 400mV @ 100nA,

2SK208-O(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 342

FET প্রকার: N-Channel, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 600µA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 400mV @ 100nA,

2SK208-GR(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 340

FET প্রকার: N-Channel, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 2.6mA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 400mV @ 100nA,

2SK2145-Y(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 123563

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 1.2mA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 200mV @ 100nA,