ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 925MHz ~ 960MHz, লাভ করা: 18dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 48V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HEMT, ফ্রিকোয়েন্সি: 6GHz, লাভ করা: 17dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 420MHz ~ 500MHz, লাভ করা: 21dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 1µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.2GHz, লাভ করা: 17dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.2GHz ~ 1.4GHz, লাভ করা: 17dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.88GHz, লাভ করা: 15.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HEMT, ফ্রিকোয়েন্সি: 0Hz ~ 4GHz, লাভ করা: 12.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V, বর্তমান রেরতিং: 6.3A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 869MHz ~ 960MHz, লাভ করা: 18.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HEMT, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.7GHz, লাভ করা: 16.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V, বর্তমান রেরতিং: 6.3A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.99GHz, লাভ করা: 19dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 960MHz, লাভ করা: 19.1dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 2.03GHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.96GHz, লাভ করা: 19.1dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 860MHz, লাভ করা: 22dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.09GHz, লাভ করা: 25dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 1.4GHz, লাভ করা: 17.7dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 230MHz, লাভ করা: 24dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 960MHz, লাভ করা: 19.4dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.4GHz ~ 2.5GHz, লাভ করা: 18.6dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 1.03GHz, লাভ করা: 20dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 2.9GHz, লাভ করা: 13.3dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 894MHz, লাভ করা: 19.8dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HEMT, ফ্রিকোয়েন্সি: 3GHz ~ 3.5GHz, লাভ করা: 13dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HEMT, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.2GHz ~ 2GHz, লাভ করা: 14.8dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V, বর্তমান রেরতিং: 4.5A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel, ফ্রিকোয়েন্সি: 150MHz ~ 400MHz, লাভ করা: 7.7dB ~ 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 5A, শব্দ শব্দ: 1.5dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 945MHz, লাভ করা: 14.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 5A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 870MHz, লাভ করা: 17dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 13.6V, বর্তমান রেরতিং: 8A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 N-Channel (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 123MHz, লাভ করা: 26.8dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 100V, বর্তমান রেরতিং: 20A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 500MHz, লাভ করা: 11.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 7.5V, বর্তমান রেরতিং: 5A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel, ফ্রিকোয়েন্সি: 150MHz, লাভ করা: 25dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V, বর্তমান রেরতিং: 2mA,
