ডায়োডস - রেকটিফায়ার - অ্যারে | বিবিধ অর্ধপরিবাহী পণ্য | 100

FST10020

পার্ট স্টক: 1563

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 100A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 650mV @ 100A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

GeneSiC Semiconductor

MBR300150CTR

পার্ট স্টক: 1446

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 150A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 880mV @ 150A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

GeneSiC Semiconductor

MUR40060CTR

পার্ট স্টক: 1286

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 400A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 125A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A12

পার্ট স্টক: 3213

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 100A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.35V @ 100A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A120

পার্ট স্টক: 2552

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 120V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 160A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 880mV @ 160A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

GeneSiC Semiconductor

MURT20040

পার্ট স্টক: 1224

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.35V @ 100A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

GeneSiC Semiconductor

MURT20005R

পার্ট স্টক: 1264

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 100A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

GeneSiC Semiconductor

MBR60080CT

পার্ট স্টক: 795

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 80V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 300A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 880mV @ 300A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

GeneSiC Semiconductor

MBR30045CTR

পার্ট স্টক: 1429

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 300A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 650mV @ 150A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

GeneSiC Semiconductor

MBR50020CTR

পার্ট স্টক: 1148

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 500A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 750mV @ 250A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

GeneSiC Semiconductor

MBRT50040

পার্ট স্টক: 1070

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 500A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 750mV @ 250A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

GeneSiC Semiconductor

MSRTA300100(A)D

পার্ট স্টক: 1265

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Series Connection, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 300A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 300A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

GeneSiC Semiconductor

MBRT400150R

পার্ট স্টক: 1842

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 880mV @ 200A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

GeneSiC Semiconductor

MBR12030CTR

পার্ট স্টক: 1542

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 120A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 650mV @ 60A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT3060C-M3/4W

পার্ট স্টক: 101161

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT1045C-M3/4W

পার্ট স্টক: 129871

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 580mV @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40100G-E3/4W

পার্ট স্টক: 75843

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 810mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

Vishay Semiconductor Diodes Division

V12WM100C-M3/I

পার্ট স্টক: 129155

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 6A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 750mV @ 6A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF40150C-E3/4W

পার্ট স্টক: 55592

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.43V @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

Vishay Semiconductor Diodes Division

V60D120CHM3/I

পার্ট স্টক: 60897

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 120V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 960mV @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF20120C-E3/4W

পার্ট স্টক: 78055

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 120V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 900mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT10202C-M3/4W

পার্ট স্টক: 110034

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 880mV @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PW15C-M3/I

পার্ট স্টক: 198027

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.24V @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

Vishay Semiconductor Diodes Division

M3060C-E3/4W

পার্ট স্টক: 92762

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 720mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

Vishay Semiconductor Diodes Division

V20PWM10C-M3/I

পার্ট স্টক: 165903

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 820mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2080C-E3/4W

পার্ট স্টক: 124012

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 80V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 810mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

Micro Commercial Co

MF150C06F2-BP

পার্ট স্টক: 2098

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Series Connection, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 150A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.4V @ 150A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

Power Integrations

LQA30T150C

পার্ট স্টক: 43099

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

Power Integrations

LQA30B200C

পার্ট স্টক: 26345

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

DD98N25KHPSA1

পার্ট স্টক: 59

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Series Connection, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 2500V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 98A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.53V @ 300A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

DD89N18KHPSA1

পার্ট স্টক: 110

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1800V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 89A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 300A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

STMicroelectronics

STPS640CBY-TR

পার্ট স্টক: 109388

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 630mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

STMicroelectronics

STPS3045CGY-TR

পার্ট স্টক: 71830

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 570mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

SMC Diode Solutions

MBRF4080CTL

পার্ট স্টক: 180945

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 80V, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 750mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

SMC Diode Solutions

MBRF3040CT

পার্ট স্টক: 172747

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা

Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2090 C0G

পার্ট স্টক: 130

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 90V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 920mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা