Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ডায়োডস - রেকটিফায়ার - অ্যারে

VS-4CSH02-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH02-M3/87A

পার্ট স্টক: 128271

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
VS-42CTQ030S-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-42CTQ030S-1HM3

পার্ট স্টক: 60706

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 480mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
SS8P3CLHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3CLHM3_A/I

পার্ট স্টক: 149065

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 4A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 580mV @ 4A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
VS-6CWQ04FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ04FNTRHM3

পার্ট স্টক: 83931

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 3.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 530mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
VS-12CTQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ045STRR-M3

পার্ট স্টক: 88987

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 6A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 6A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
UH4PDCHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

UH4PDCHM3_A/H

পার্ট স্টক: 188540

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.05V @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
VS-MBR6045WT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR6045WT-N3

পার্ট স্টক: 11025

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 620mV @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
VS-40L45CW-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L45CW-N3

পার্ট স্টক: 17070

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 530mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
VS-40CTQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CTQ045STRR-M3

পার্ট স্টক: 57459

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 530mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
SS8P2CL-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P2CL-M3/87A

পার্ট স্টক: 186416

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 4A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 540mV @ 4A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
VS-30CPQ045-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ045-N3

পার্ট স্টক: 12874

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 540mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
SRS16100 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS16100 MNG

পার্ট স্টক: 131

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 16A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 900mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
SRS2020HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2020HMNG

পার্ট স্টক: 151

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
MBRF15100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF15100CTHC0G

পার্ট স্টক: 107

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 920mV @ 7.5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
MBRF20L120CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20L120CT C0G

পার্ট স্টক: 138

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 120V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 900mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
MBRS2560CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2560CTHMNG

পার্ট স্টক: 115

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 25A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 900mV @ 25A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
SRF1640 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1640 C0G

পার্ট স্টক: 119

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 16A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
MBRS2535CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2535CT MNG

পার্ট স্টক: 160

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 25A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 820mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
MBRS2060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2060CT MNG

পার্ট স্টক: 128

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
GP1601HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1601HC0G

পার্ট স্টক: 93

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 16A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 8A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
SRS1060HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1060HMNG

পার্ট স্টক: 164

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
SRS2030 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2030 MNG

পার্ট স্টক: 94

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
SRS1660 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1660 MNG

পার্ট স্টক: 98

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 16A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
SR20100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20100 C0G

পার্ট স্টক: 94

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 900mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
MBR20L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20L100CTHC0G

পার্ট স্টক: 142

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 850mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
UG2004PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG2004PT C0G

পার্ট স্টক: 88

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 930mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
SR3060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3060PT C0G

পার্ট স্টক: 141

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
MBRS1060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1060CT MNG

পার্ট স্টক: 127

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 900mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
FERD40L60CG-TR
STMicroelectronics

FERD40L60CG-TR

পার্ট স্টক: 101

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: FERD (Field Effect Rectifier Diode), ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 545mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
CDBD2045-G
Comchip Technology

CDBD2045-G

পার্ট স্টক: 111182

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
CDBT-54C-G
Comchip Technology

CDBT-54C-G

পার্ট স্টক: 118616

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200mA (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 100mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

শুভেচ্ছা
CDBGBSC101200-G
Comchip Technology

CDBGBSC101200-G

পার্ট স্টক: 79

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 18A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 5A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io),

শুভেচ্ছা
DB3J315E0L
Panasonic Electronic Components

DB3J315E0L

পার্ট স্টক: 176834

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30mA (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 30mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

শুভেচ্ছা
DA204KT146
Rohm Semiconductor

DA204KT146

পার্ট স্টক: 177494

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Series Connection, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 100mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 10mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

শুভেচ্ছা
RBQ10NS45AFHTL
Rohm Semiconductor

RBQ10NS45AFHTL

পার্ট স্টক: 92

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 650mV @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
RB550EATR
Rohm Semiconductor

RB550EATR

পার্ট স্টক: 110897

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 700mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 490mV @ 700mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা