Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ডায়োডস - রেকটিফায়ার - অ্যারে

VS-16CTQ080S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ080S-M3

পার্ট স্টক: 85835

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 80V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 720mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
VS-43CTQ100-011HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-43CTQ100-011HN3

পার্ট স্টক: 40430

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 810mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
VS-15CTQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ035STRR-M3

পার্ট স্টক: 91136

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 7.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 7.5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
VS-32CTQ025STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ025STRLHM3

পার্ট স্টক: 52402

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 25V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 490mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
VS-MBRD650CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD650CTTR-M3

পার্ট স্টক: 159302

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
VS-4CSH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH01-M3/86A

পার্ট স্টক: 186384

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
VS-32CTQ030STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ030STRLHM3

পার্ট স্টক: 52472

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 490mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
VS-32CTQ025-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ025-1HM3

পার্ট স্টক: 63269

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 25V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 490mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
SS8P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P4CHM3_A/I

পার্ট স্টক: 180307

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 4A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 580mV @ 4A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
VS-6CWQ03FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ03FNTRL-M3

পার্ট স্টক: 169876

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 3.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 520mV @ 6A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
MSRT250120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT250120(A)

পার্ট স্টক: 1374

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 250A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 250A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
MBR60040CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR60040CTR

পার্ট স্টক: 665

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 300A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 750mV @ 300A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
MBRF10L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10L100CT C0G

পার্ট স্টক: 149

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 850mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
MBR1560CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1560CTHC0G

পার্ট স্টক: 160

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 750mV @ 7.5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
MBRF2090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2090CT C0G

পার্ট স্টক: 130

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 90V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
MBRF20100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20100CTHC0G

পার্ট স্টক: 73

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
UGF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2005GHC0G

পার্ট স্টক: 106

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 300V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.25V @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
SR20150PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20150PTHC0G

পার্ট স্টক: 156

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
SR1620HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1620HC0G

পার্ট স্টক: 104

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 16A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
HER1004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1004G C0G

পার্ট স্টক: 130

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 300V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
MBRF20150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20150CTHC0G

পার্ট স্টক: 78

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.05V @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
MBR10L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10L100CT C0G

পার্ট স্টক: 119

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 850mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
MBR1545CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1545CT C0G

পার্ট স্টক: 96

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 840mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
SR10100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR10100HC0G

পার্ট স্টক: 107

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 850mV @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
MBR15150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR15150CT C0G

পার্ট স্টক: 128

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.05V @ 7.5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
SRS16100HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS16100HMNG

পার্ট স্টক: 79

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 16A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 900mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
MBRF2535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2535CT C0G

পার্ট স্টক: 145

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 25A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 820mV @ 12.5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
GP1601 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1601 C0G

পার্ট স্টক: 106

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 16A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 8A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
FERD40M45CG-TR
STMicroelectronics

FERD40M45CG-TR

পার্ট স্টক: 94309

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: FERD (Field Effect Rectifier Diode), ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 500mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
STTH2003CGY-TR
STMicroelectronics

STTH2003CGY-TR

পার্ট স্টক: 51763

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 300V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.25V @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FTE85LF

পার্ট স্টক: 146

ডায়োড কনফিগারেশন: 3 Independent, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 80V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 80mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 100mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

শুভেচ্ছা
CDBD20100-HF
Comchip Technology

CDBD20100-HF

পার্ট স্টক: 101509

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 850mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
CDBT-70C-G
Comchip Technology

CDBT-70C-G

পার্ট স্টক: 156683

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 70V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 70mA (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 15mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

শুভেচ্ছা
CDBV3-54S-G
Comchip Technology

CDBV3-54S-G

পার্ট স্টক: 124599

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Series Connection, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200mA (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 100mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

শুভেচ্ছা
CDBD10200-G
Comchip Technology

CDBD10200-G

পার্ট স্টক: 119712

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা
NRVHP420MFDWFT1G
ON Semiconductor

NRVHP420MFDWFT1G

পার্ট স্টক: 80

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 6A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

শুভেচ্ছা