ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - একক, প্রাক-বায়া

DTC123JM3T5G

পার্ট স্টক: 135078

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

DTA114YM3T5G

পার্ট স্টক: 187010

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

FJX4006RTF

পার্ট স্টক: 182042

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 68 @ 5mA, 5V,

শুভেচ্ছা

DTA114EET1G

পার্ট স্টক: 194947

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 35 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

SMUN5211T1G

পার্ট স্টক: 121375

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 35 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

DDTC115GE-7-F

পার্ট স্টক: 164377

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 100 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 82 @ 5mA, 5V,

শুভেচ্ছা

DDTA143XE-7-F

পার্ট স্টক: 137246

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 10mA, 5V,

শুভেচ্ছা

DDTA143ZCA-7-F

পার্ট স্টক: 173230

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

শুভেচ্ছা

DDTA142TU-7-F

পার্ট স্টক: 118724

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 470 Ohms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1mA, 5V,

শুভেচ্ছা

DDTA143XUA-7-F

পার্ট স্টক: 146313

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 10mA, 5V,

শুভেচ্ছা

DDTC114TE-7-F

পার্ট স্টক: 9903

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1mA, 5V,

শুভেচ্ছা

DDTA114GKA-7-F

পার্ট স্টক: 1907

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 5V,

শুভেচ্ছা

DDTA123JE-7-F

পার্ট স্টক: 158931

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

শুভেচ্ছা

UNR51AMG0L

পার্ট স্টক: 140343

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

UNR51A5G0L

পার্ট স্টক: 2024

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 160 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

UNR511DG0L

পার্ট স্টক: 1886

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

UNR31A6G0L

পার্ট স্টক: 1910

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 160 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

UNR92A6G0L

পার্ট স্টক: 1942

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 160 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

UNR921AJ0L

পার্ট স্টক: 151091

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 100 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 100 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

UNR9211G0L

পার্ট স্টক: 1872

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 35 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

UNR511V00L

পার্ট স্টক: 1964

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 2.2 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 6 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

DRC9144E0L

পার্ট স্টক: 186044

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

RN1444ATE85LF

পার্ট স্টক: 1960

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 300mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 200 @ 4mA, 2V,

শুভেচ্ছা

RN1107ACT(TPL3)

পার্ট স্টক: 2029

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

শুভেচ্ছা

RN2110CT(TPL3)

পার্ট স্টক: 1997

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 300 @ 1mA, 5V,

শুভেচ্ছা

RN2107MFV,L3F

পার্ট স্টক: 128621

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

শুভেচ্ছা

RN1107CT(TPL3)

পার্ট স্টক: 1985

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 10mA, 5V,

শুভেচ্ছা

Rohm Semiconductor

DTC014EUBTL

পার্ট স্টক: 155818

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 35 @ 5mA, 10V,

শুভেচ্ছা

Rohm Semiconductor

DTD123ECT116

পার্ট স্টক: 147929

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 2.2 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 39 @ 50mA, 5V,

শুভেচ্ছা

Rohm Semiconductor

DTC123JUAT106

পার্ট স্টক: 179769

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

শুভেচ্ছা

PDTA144WS,126

পার্ট স্টক: 1954

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 5mA, 5V,

শুভেচ্ছা

PDTC124XE,115

পার্ট স্টক: 2012

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 5V,

শুভেচ্ছা

PDTC123JS,126

পার্ট স্টক: 1964

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 10mA, 5V,

শুভেচ্ছা

PDTA114EEAF

পার্ট স্টক: 1972

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 5V,

শুভেচ্ছা