ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - অ্যারে

MPQ2222A

পার্ট স্টক: 15040

ট্রানজিস্টর প্রকার: 4 NPN (Quad), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 50mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 150mA, 10V,

MPQ3798

পার্ট স্টক: 11999

ট্রানজিস্টর প্রকার: 4 PNP (Quad), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 250mV @ 100µA, 1mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 125 @ 10mA, 5V,

CMXT3904 TR

পার্ট স্টক: 116349

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 200mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 5mA, 50mA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 10mA, 1V,

CEN895

পার্ট স্টক: 4471

ZXTC6720MCTA

পার্ট স্টক: 181229

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 3.5A, 2.5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, 70V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V,

ZDT694TA

পার্ট স্টক: 129831

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 120V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 5mA, 400mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 400 @ 200mA, 2V,

ZXTDBM832TA

পার্ট স্টক: 4560

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 4.5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 270mV @ 125mA, 4.5A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 25nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 200 @ 2A, 2V,

ULN2003F12FN-7

পার্ট স্টক: 137824

ট্রানজিস্টর প্রকার: 4 NPN Darlington (Quad), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.6V @ 500µA, 350mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50µA,

ZXTC6718MCTA

পার্ট স্টক: 158453

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 4.5A, 3.5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V,

ULN2069B

পার্ট স্টক: 27239

ট্রানজিস্টর প্রকার: 4 NPN Darlington (Quad), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1.75A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A,

ULQ2003D1013TRY

পার্ট স্টক: 141438

ট্রানজিস্টর প্রকার: 7 NPN Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.6V @ 500µA, 350mA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 1000 @ 350mA, 2V,

FFB5551

পার্ট স্টক: 164148

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 200mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 160V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 200mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

MC1413BPG

পার্ট স্টক: 116299

ট্রানজিস্টর প্রকার: 7 NPN Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.6V @ 500µA, 350mA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 1000 @ 350mA, 2V,

SMUN5111DW1T1G

পার্ট স্টক: 148571

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 250mV @ 300nA, 10mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 500nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 35 @ 5mA, 10V,

EMX1DXV6T1G

পার্ট স্টক: 164133

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 500nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

FMB2227A

পার্ট স্টক: 129106

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.4V @ 30mA, 300mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 30nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 300mA, 10V,

FFB2222A

পার্ট স্টক: 146550

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 50mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 150mA, 10V,

CPH5520-TL-E

পার্ট স্টক: 105724

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, PNP (Emitter Coupled), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 260mV @ 50mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 200 @ 100mA, 2V,

PUMZ2,125

পার্ট স্টক: 172961

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 250mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

PMP4201G,115

পার্ট স্টক: 183684

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual) Matched Pair, Common Emitter, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 45V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 15nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 200 @ 2mA, 5V,

PBSS5160PAP,115

পার্ট স্টক: 144180

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 340mV @ 100mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 500mA, 2V,

PMP5201G,115

পার্ট স্টক: 104460

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Common Emitter, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 45V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 15nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 200 @ 2mA, 5V,

PEMZ7,115

পার্ট স্টক: 170305

SG2023J-DESC

পার্ট স্টক: 4587

ট্রানজিস্টর প্রকার: 7 NPN Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 95V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.6V @ 500µA, 350mA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 1000 @ 350mA, 2V,

STA408A

পার্ট স্টক: 19182

ট্রানজিস্টর প্রকার: 4 PNP Darlington (Quad), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 4A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 120V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 4mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 2000 @ 2A, 4V,

XN0155800L

পার্ট স্টক: 4466

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 20mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 200 @ 500mA, 2V,

XN0240100L

পার্ট স্টক: 4458

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 10mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 160 @ 2mA, 10V,

DME201010R

পার্ট স্টক: 184609

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, PNP (Emitter Coupled), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 10mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 210 @ 2mA, 10V,

SMBT3904SE6327HTSA1

পার্ট স্টক: 4480

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 200mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 10mA, 1V,

ULN2004AIDG4

পার্ট স্টক: 154157

ট্রানজিস্টর প্রকার: 7 NPN Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.6V @ 500µA, 350mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50µA,

ULN2003AID

পার্ট স্টক: 100337

ট্রানজিস্টর প্রকার: 7 NPN Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.6V @ 500µA, 350mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50µA,

ULN2004AINSR

পার্ট স্টক: 120597

ট্রানজিস্টর প্রকার: 7 NPN Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.6V @ 500µA, 350mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50µA,

ULN2004ADE4

পার্ট স্টক: 115211

ট্রানজিস্টর প্রকার: 7 NPN Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.6V @ 500µA, 350mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50µA,

ULN2004AIN

পার্ট স্টক: 89352

ট্রানজিস্টর প্রকার: 7 NPN Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.6V @ 500µA, 350mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50µA,

EMT18T2R

পার্ট স্টক: 174521

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 250mV @ 10mA, 200mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 270 @ 10mA, 2V,

HN4B01JE(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 76

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, PNP (Emitter Coupled), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 250mV @ 10mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 10MA, 100MA,