ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

AO4850

পার্ট স্টক: 2967

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 75V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 130 mOhm @ 3.1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

AON3814L

পার্ট স্টক: 3020

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 17 mOhm @ 6A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.1V @ 250µA,

AON5802BL

পার্ট স্টক: 2948

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.2A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 19 mOhm @ 7A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

AO6800L

পার্ট স্টক: 2951

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.4A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 60 mOhm @ 3.4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

AO6601L

পার্ট স্টক: 2994

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.4A (Ta), 2.3A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 60 mOhm @ 3A, 10V, 135 mOhm @ 2.3A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.4V @ 250µA,

AO4840L

পার্ট স্টক: 2989

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 31 mOhm @ 6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

AO4840L_102

পার্ট স্টক: 2965

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 31 mOhm @ 6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

AO4818BL_102

পার্ট স্টক: 2970

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 19 mOhm @ 8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.4V @ 250µA,

AO4616L_103

পার্ট স্টক: 2955

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8.1A (Ta), 7.1A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 20 mOhm @ 8.1A, 10V, 25 mOhm @ 7.1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA,

AO4614BL_DELTA

পার্ট স্টক: 2928

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A (Ta), 5A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 30 mOhm @ 6A, 10V, 45 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

AO4616L

পার্ট স্টক: 2992

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8.1A (Ta), 7.1A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 20 mOhm @ 8.1A, 10V, 25 mOhm @ 7.1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA, 2.7V @ 250µA,

AO4614BL

পার্ট স্টক: 3018

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A (Ta), 5A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 30 mOhm @ 6A, 10V, 45 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

AO4614BL_201

পার্ট স্টক: 3023

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A (Ta), 5A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 30 mOhm @ 6A, 10V, 45 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

AO4600CL

পার্ট স্টক: 3010

AO4612L

পার্ট স্টক: 3004

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.5A (Ta), 3.2A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 56 mOhm @ 4.5A, 10V, 105 mOhm @ 3.2A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

AO4600C

পার্ট স্টক: 3327

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.5A (Ta), 5.6A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 23 mOhm @ 7.5A, 10V, 42 mOhm @ 5.6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA, 1.3V @ 250µA,

AOC3864

পার্ট স্টক: 2968

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.3V @ 250µA,

AOC3860

পার্ট স্টক: 2997

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 900mV @ 250µA,

AON6884L_002

পার্ট স্টক: 2922

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 34A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 11.3 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.7V @ 250µA,

AOD604

পার্ট স্টক: 2914

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 33 mOhm @ 8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

AO8830

পার্ট স্টক: 2957

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 27 mOhm @ 6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 1mA,

AO4946

পার্ট স্টক: 2984

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 16 mOhm @ 8.6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.4V @ 250µA,

AO4622

পার্ট স্টক: 2934

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 23 mOhm @ 7.3A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

AOD607_DELTA

পার্ট স্টক: 2968

FET প্রকার: N and P-Channel Complementary, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 12A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 mOhm @ 12A, 10V, 37 mOhm @ 12A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA,

AOD607_001

পার্ট স্টক: 2916

FET প্রকার: N and P-Channel Complementary, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 12A (Tc),

AON5802B_101

পার্ট স্টক: 2938

AON5802ALS

পার্ট স্টক: 2904

AON4807_101

পার্ট স্টক: 2919

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 68 mOhm @ 4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.3V @ 250µA,

AOC2802_001

পার্ট স্টক: 2960

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 35 mOhm @ 3A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

AON2801L

পার্ট স্টক: 2975

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 120 mOhm @ 3A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

AO9926BL_101

পার্ট স্টক: 2900

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 23 mOhm @ 7.6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.1V @ 250µA,

APTJC120AM25VCT1AG

পার্ট স্টক: 3378

APTMC120HR11CT3AG

পার্ট স্টক: 2997

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Silicon Carbide (SiC), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1200V (1.2kV), কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 26A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 98 mOhm @ 20A, 20V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 5mA,

APTM20DHM20TG

পার্ট স্টক: 2966

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 89A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 2.5mA,

APTM120TA57FPG

পার্ট স্টক: 3311

FET প্রকার: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1200V (1.2kV), কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 17A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 684 mOhm @ 8.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 2.5mA,

APTC80DSK15T3G

পার্ট স্টক: 2936

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 800V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 28A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 150 mOhm @ 14A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 2mA,