ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

VQ1001P-2

পার্ট স্টক: 2955

FET প্রকার: 4 N-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 830mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.75 Ohm @ 200mA, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

SI4953ADY-T1-E3

পার্ট স্টক: 3366

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 53 mOhm @ 4.9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA (Min),

শুভেচ্ছা

SQ4946EY-T1-E3

পার্ট স্টক: 2909

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI1551DL-T1-E3

পার্ট স্টক: 3285

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 290mA, 410mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.9 Ohm @ 290mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI5947DU-T1-GE3

পার্ট স্টক: 2813

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 58 mOhm @ 3.6A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

VQ1006P-2

পার্ট স্টক: 2934

FET প্রকার: 4 N-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 90V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 400mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.5 Ohm @ 1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

SI4561DY-T1-E3

পার্ট স্টক: 2835

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6.8A, 7.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 35.5 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI6993DQ-T1-E3

পার্ট স্টক: 2760

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 31 mOhm @ 4.7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI5905DC-T1-E3

পার্ট স্টক: 2878

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 8V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 90 mOhm @ 3A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 450mV @ 250µA (Min),

শুভেচ্ছা

SIA912DJ-T1-GE3

পার্ট স্টক: 2835

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

NDS9933A

পার্ট স্টক: 2707

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 140 mOhm @ 2.8A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDS6894AZ

পার্ট স্টক: 2716

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 17 mOhm @ 8A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDS4559-F085

পার্ট স্টক: 5411

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.5A, 3.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDW2520C

পার্ট স্টক: 2720

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, 4.4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 18 mOhm @ 6A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FD6M043N08

পার্ট স্টক: 2778

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 75V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 65A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.3 mOhm @ 40A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

MCH6605-TL-E

পার্ট স্টক: 2963

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 4V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 50V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 140mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 22 Ohm @ 40mA, 10V,

শুভেচ্ছা

ECH8654-TL-HQ

পার্ট স্টক: 2956

শুভেচ্ছা

FDMC3300NZA

পার্ট স্টক: 2769

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 26 mOhm @ 8A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDD8426H

পার্ট স্টক: 2797

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 12A, 10A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 12 mOhm @ 12A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

MMDF3N04HDR2G

পার্ট স্টক: 2776

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 80 mOhm @ 3.4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDS6892AZ

পার্ট স্টক: 2717

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 18 mOhm @ 7.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDS3601

পার্ট স্টক: 2704

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 480 mOhm @ 1.3A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDG6301N_D87Z

পার্ট স্টক: 3287

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 220mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

IRF9953

পার্ট স্টক: 2696

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 250 mOhm @ 1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

IRF7106

পার্ট স্টক: 2699

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A, 2.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 125 mOhm @ 1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

IRF7329TR

পার্ট স্টক: 2673

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 17 mOhm @ 9.2A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 900mV @ 250µA,

শুভেচ্ছা

IRF7901D1

পার্ট স্টক: 2681

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 38 mOhm @ 5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

ZXMC3A18DN8TA

পার্ট স্টক: 2765

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.8A, 4.8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 mOhm @ 5.8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA (Min),

শুভেচ্ছা

ZVN4206NTA

পার্ট স্টক: 2720

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V,

শুভেচ্ছা

ZXMD65P02N8TA

পার্ট স্টক: 2712

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 50 mOhm @ 2.9A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 700mV @ 250µA (Min),

শুভেচ্ছা