অপটিকাল সেন্সর - ফোটোইনটার্প্টারস - স্লট প্রকার -

AEDS-9310

পার্ট স্টক: 6047

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 10mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

AEDS-9300

পার্ট স্টক: 6018

সংবেদনের দূরত্ব: 0.106" (2.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 10mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB876P55

পার্ট স্টক: 6000

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB350L125

পার্ট স্টক: 15354

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Liquid, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB890N51

পার্ট স্টক: 6080

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB848TX

পার্ট স্টক: 371

সংবেদনের দূরত্ব: 0.100" (2.54mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB815W

পার্ট স্টক: 6075

সংবেদনের দূরত্ব: 0.375" (9.53mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB865P11

পার্ট স্টক: 6065

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB820S3

পার্ট স্টক: 25077

সংবেদনের দূরত্ব: 0.080" (2.03mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB871N55TX

পার্ট স্টক: 270

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB836L55

পার্ট স্টক: 6091

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB870L55

পার্ট স্টক: 6084

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB881L51

পার্ট স্টক: 5923

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB390T11

পার্ট স্টক: 6059

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB881L55

পার্ট স্টক: 6057

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB871L55TX

পার্ট স্টক: 354

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB841L51

পার্ট স্টক: 6043

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB375P51

পার্ট স্টক: 6050

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB882N51Z

পার্ট স্টক: 5948

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

HOA0892-T55

পার্ট স্টক: 11970

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Transistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

HOA2862-001

পার্ট স্টক: 6138

সংবেদনের দূরত্ব: 0.100" (2.54mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

HOA0861-N55

পার্ট স্টক: 21538

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Transistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB705

পার্ট স্টক: 31381

QVA21313

পার্ট স্টক: 6033

QVA11324

পার্ট স্টক: 5935

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

LTH-306-01

পার্ট স্টক: 170803

সংবেদনের দূরত্ব: 0.106" (2.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 5mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

LTH-306-04M

পার্ট স্টক: 165694

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

PM-T54P

পার্ট স্টক: 6016

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 15mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

PM-U24-C3

পার্ট স্টক: 6087

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 15mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

PM-Y64

পার্ট স্টক: 9672

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 15mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

GP1S56TJ000F

পার্ট স্টক: 6037

সংবেদনের দূরত্ব: 0.079" (2mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V,

EE-SH3

পার্ট স্টক: 14281

সংবেদনের দূরত্ব: 0.134" (3.4mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

EE-SM3

পার্ট স্টক: 6127

সংবেদনের দূরত্ব: 0.118" (3mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Photodarlington, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 15mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 24V,

EE-SX1080

পার্ট স্টক: 14273

RPI-441C1

পার্ট স্টক: 6079

সংবেদনের দূরত্ব: 0.157" (4mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

WF80-95B410

পার্ট স্টক: 37

সংবেদনের দূরত্ব: 3.150" (80mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Optical Flag, আউটপুট কনফিগারেশন: PNP/NPN,