অপটিকাল সেন্সর - ফোটোইনটার্প্টারস - স্লট প্রকার -

CNA1311K

পার্ট স্টক: 5973

সংবেদনের দূরত্ব: 0.039" (1mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V,

OPB892P51

পার্ট স্টক: 6079

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPS697

পার্ট স্টক: 6018

সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB380L55Z

পার্ট স্টক: 18701

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB870T55TX

পার্ট স্টক: 405

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB822S

পার্ট স্টক: 19553

সংবেদনের দূরত্ব: 0.090" (2.29mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: 2 NPN, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB821Z

পার্ট স্টক: 16882

সংবেদনের দূরত্ব: 0.080" (2.03mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500µA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB853A1

পার্ট স্টক: 25131

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Photodarlington, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 40mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB853A2

পার্ট স্টক: 6071

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Photodarlington, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 40mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB877L51

পার্ট স্টক: 6044

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB832L51

পার্ট স্টক: 6085

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB890L55

পার্ট স্টক: 6077

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB881N51

পার্ট স্টক: 6078

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB881L51Z

পার্ট স্টক: 19509

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB891L55Z

পার্ট স্টক: 6095

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

GP1S58VJ000F

পার্ট স্টক: 56854

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V,

GP1S74P

পার্ট স্টক: 5987

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V,

QVE00832C

পার্ট স্টক: 6053

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 60mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

QVB11123

পার্ট স্টক: 6105

QVB21214

পার্ট স্টক: 5988

H22A4

পার্ট স্টক: 6038

সংবেদনের দূরত্ব: 0.118" (3mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 60mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 55V,

PM-K54

পার্ট স্টক: 9672

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 15mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

PM-F64

পার্ট স্টক: 3603

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 15mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

HOA1870-033

পার্ট স্টক: 6680

সংবেদনের দূরত্ব: 0.070" (1.78mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Photodarlington, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 15V,

HOA1873-013

পার্ট স্টক: 10187

সংবেদনের দূরত্ব: 0.100" (2.54mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Photodarlington, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 15V,

HOA0890-N51

পার্ট স্টক: 16762

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Transistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

HOA0880-T55

পার্ট স্টক: 6065

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Transistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

HOA0865-L55

পার্ট স্টক: 19168

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Transistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

HOA1882-011

পার্ট স্টক: 6005

সংবেদনের দূরত্ব: 0.200" (5.08mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1.8mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

HOA1874-013

পার্ট স্টক: 16812

সংবেদনের দূরত্ব: 0.120" (3.05mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Photodarlington, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 15V,

HOA0861-P55

পার্ট স্টক: 6003

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Transistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

HOA1884-011

পার্ট স্টক: 14961

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

HOA0876-N55

পার্ট স্টক: 22336

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Transistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

EE-SJ5-B

পার্ট স্টক: 16358

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

EE-SX954-R 3M

পার্ট স্টক: 2050

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 15mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 24V,

WF50-60B416

পার্ট স্টক: 103

সংবেদনের দূরত্ব: 1.969" (50mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Optical Flag, আউটপুট কনফিগারেশন: PNP/NPN,