অপটিকাল সেন্সর - ফোটোইনটার্প্টারস - স্লট প্রকার -

EE-SX911-C1J-R 0.3M

পার্ট স্টক: 6063

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: NPN - Open Collector,

EE-SX872-ECON 0.3M

পার্ট স্টক: 1116

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: NPN - Open Collector/Light-ON,

QVA11133

পার্ট স্টক: 6056

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

QVB11323

পার্ট স্টক: 5997

GP1S096HCZ

পার্ট স্টক: 9698

সংবেদনের দূরত্ব: 0.039" (1mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V,

GP1S096HCZ0F

পার্ট স্টক: 5977

সংবেদনের দূরত্ব: 0.039" (1mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V,

GP1S51V

পার্ট স্টক: 6061

সংবেদনের দূরত্ব: 0.118" (3mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V,

OPB810W51

পার্ট স্টক: 6046

সংবেদনের দূরত্ব: 0.375" (9.53mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB875T11

পার্ট স্টক: 6010

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB891N51Z

পার্ট স্টক: 5990

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB837L55

পার্ট স্টক: 5962

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB830W55

পার্ট স্টক: 6050

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB880N11

পার্ট স্টক: 4006

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB360N55

পার্ট স্টক: 6072

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB892L55Z

পার্ট স্টক: 6007

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB380N51Z

পার্ট স্টক: 6006

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB881N51Z

পার্ট স্টক: 5993

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB891N51

পার্ট স্টক: 6048

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB872N55

পার্ট স্টক: 5972

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB871P51TXV

পার্ট স্টক: 297

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB847L55

পার্ট স্টক: 5977

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB800W55

পার্ট স্টক: 6030

সংবেদনের দূরত্ব: 0.375" (9.53mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB872T51TX

পার্ট স্টক: 332

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB867P55

পার্ট স্টক: 6058

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB845A

পার্ট স্টক: 6053

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB890P11Z

পার্ট স্টক: 17432

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB882T55

পার্ট স্টক: 6049

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

OPB891L55

পার্ট স্টক: 6098

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Phototransistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

HOA0871-N55

পার্ট স্টক: 21465

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Transistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

HOA0890-T51

পার্ট স্টক: 7775

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Transistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

HOA1884-013

পার্ট স্টক: 12193

সংবেদনের দূরত্ব: 0.125" (3.18mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Photodarlington, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 15V,

HOA0825-003

পার্ট স্টক: 19144

সংবেদনের দূরত্ব: 0.165" (4.2mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: Transistor, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

PM-L24-C3

পার্ট স্টক: 9618

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: NPN - Dark-ON/Light-ON - Selectable, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 15mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

PM-T44P-C3

পার্ট স্টক: 9662

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: PNP - Dark-ON/Light-ON - Selectable, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 15mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

WFM180-120N321

পার্ট স্টক: 116

সংবেদনের দূরত্ব: 7.087" (180mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Optical Flag, আউটপুট কনফিগারেশন: NPN,

EE-SX1131

পার্ট স্টক: 82125

সংবেদনের দূরত্ব: 0.079" (2mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Transmissive, আউটপুট কনফিগারেশন: 2 NPN, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 25mA, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V,