Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ডায়োডস - রেকটিফায়ার - অ্যারে

  • বাড়ি
  •  
  • ডায়োডস - রেকটিফায়ার - অ্যারে
MSRT25060(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT25060(A)

পার্ট স্টক: 1332

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 250A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 250A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRTA500120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA500120(A)

পার্ট স্টক: 811

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 500A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 500A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRT15080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT15080(A)

পার্ট স্টক: 1880

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 150A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 150A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRT150120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT150120(A)

পার্ট স্টক: 1845

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 150A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 150A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRT150140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT150140(A)

পার্ট স্টক: 1876

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1400V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 150A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 150A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRTA400160(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA400160(A)

পার্ট স্টক: 1213

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 400A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 400A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRTA500140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA500140(A)

পার্ট স্টক: 729

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1400V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 500A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 500A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRT250120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT250120(A)

পার্ট স্টক: 1374

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 250A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 250A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR60040CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR60040CTR

পার্ট স্টক: 665

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 300A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 750mV @ 300A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRT150160(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT150160(A)

পার্ট স্টক: 1872

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 150A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 150A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRT20080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT20080(A)

পার্ট স্টক: 1478

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 200A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRTA400120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA400120(A)

পার্ট স্টক: 1232

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 400A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 400A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRTA500160(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA500160(A)

পার্ট স্টক: 811

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 500A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 500A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRTA400140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA400140(A)

পার্ট স্টক: 1275

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1400V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 400A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 400A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRT200140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT200140(A)

পার্ট স্টক: 1492

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1400V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 200A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRT25080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT25080(A)

পার্ট স্টক: 1344

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 250A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 250A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRTA40080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA40080(A)

পার্ট স্টক: 1195

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 400A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 400A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRT250160(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT250160(A)

পার্ট স্টক: 1410

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 250A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 250A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRT200160(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT200160(A)

পার্ট স্টক: 1484

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 200A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRTA30080(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA30080(A)

পার্ট স্টক: 1311

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Series Connection, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 800V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 300A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 300A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRTA500100(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA500100(A)

পার্ট স্টক: 789

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 500A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 500A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MUR2X100A02
GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A02

পার্ট স্টক: 2965

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 100A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRT20060(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT20060(A)

পার্ট স্টক: 1570

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 200A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRT15060(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT15060(A)

পার্ট স্টক: 1934

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 150A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 150A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRT150100(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT150100(A)

পার্ট স্টক: 1879

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 150A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 150A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRTA400100(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA400100(A)

পার্ট স্টক: 1207

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 400A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 400A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MUR2X030A02
GeneSiC Semiconductor

MUR2X030A02

পার্ট স্টক: 3697

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 60A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRTA50060(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA50060(A)

পার্ট স্টক: 795

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 500A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 500A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MSRT250140(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT250140(A)

পার্ট স্টক: 1411

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1400V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 250A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.2V @ 250A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR200100CTS
GeneSiC Semiconductor

MBR200100CTS

পার্ট স্টক: 1445

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 100A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR2X100A180
GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A180

পার্ট স্টক: 2631

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 180V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 920mV @ 100A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRT30035R
GeneSiC Semiconductor

MBRT30035R

পার্ট স্টক: 1154

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, Reverse Polarity, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 300A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 750mV @ 150A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MURT40040R
GeneSiC Semiconductor

MURT40040R

পার্ট স্টক: 980

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Standard, Reverse Polarity, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.35V @ 200A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR50045CT
GeneSiC Semiconductor

MBR50045CT

পার্ট স্টক: 1065

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 500A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 750mV @ 250A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR12045CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR12045CTR

পার্ট স্টক: 1320

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, Reverse Polarity, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 120A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 650mV @ 60A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR2X060A045
GeneSiC Semiconductor

MBR2X060A045

পার্ট স্টক: 3248

ডায়োড কনফিগারেশন: 2 Independent, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 120A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 60A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা