Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ডায়োডস - রেকটিফায়ার - অ্যারে

  • বাড়ি
  •  
  • ডায়োডস - রেকটিফায়ার - অ্যারে
MBRTA40040RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA40040RL

পার্ট স্টক: 4259

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 200A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MURF40040
GeneSiC Semiconductor

MURF40040

পার্ট স্টক: 4322

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 200A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRF20020
GeneSiC Semiconductor

MBRF20020

পার্ট স্টক: 4217

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 100A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 100A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRTA60080
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60080

পার্ট স্টক: 4271

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 80V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 300A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 840mV @ 300A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRTA500200
GeneSiC Semiconductor

MBRTA500200

পার্ট স্টক: 4517

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 250A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 920mV @ 250A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRTA60020
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60020

পার্ট স্টক: 4512

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 300A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 300A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRTA800200R
GeneSiC Semiconductor

MBRTA800200R

পার্ট স্টক: 4309

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 400A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 920mV @ 400A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRTA60060
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60060

পার্ট স্টক: 4290

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 300A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 750mV @ 300A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MURF40060R
GeneSiC Semiconductor

MURF40060R

পার্ট স্টক: 4260

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 200A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRTA60035RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60035RL

পার্ট স্টক: 4315

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 300A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 300A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRT40035RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT40035RL

পার্ট স্টক: 5467

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 200A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRT40035L
GeneSiC Semiconductor

MBRT40035L

পার্ট স্টক: 4257

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 200A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRF400200R
GeneSiC Semiconductor

MBRF400200R

পার্ট স্টক: 4204

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 920mV @ 200A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MURF30020R
GeneSiC Semiconductor

MURF30020R

পার্ট স্টক: 4240

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 150A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 150A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRTA800100
GeneSiC Semiconductor

MBRTA800100

পার্ট স্টক: 4261

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 400A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 840mV @ 400A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MURF30060R
GeneSiC Semiconductor

MURF30060R

পার্ট স্টক: 4301

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 150A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 150A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRF30080R
GeneSiC Semiconductor

MBRF30080R

পার্ট স্টক: 4271

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 80V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 150A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 840mV @ 150A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRF50020R
GeneSiC Semiconductor

MBRF50020R

পার্ট স্টক: 4247

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 250A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 750mV @ 250A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRTA80030
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80030

পার্ট স্টক: 4236

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 400A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 720mV @ 400A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MURF40010
GeneSiC Semiconductor

MURF40010

পার্ট স্টক: 4266

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 200A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRT30045RL
GeneSiC Semiconductor

MBRT30045RL

পার্ট স্টক: 4244

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 150A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 150A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRTA80040
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80040

পার্ট স্টক: 4266

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 400A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 720mV @ 400A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRTA40035L
GeneSiC Semiconductor

MBRTA40035L

পার্ট স্টক: 4307

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 200A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRF20030R
GeneSiC Semiconductor

MBRF20030R

পার্ট স্টক: 4208

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 100A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 100A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
FST6360M
GeneSiC Semiconductor

FST6360M

পার্ট স্টক: 4243

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 750mV @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRF60020
GeneSiC Semiconductor

MBRF60020

পার্ট স্টক: 4460

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 300A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 650mV @ 300A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRF30080
GeneSiC Semiconductor

MBRF30080

পার্ট স্টক: 4203

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 80V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 150A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 840mV @ 150A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRF30020R
GeneSiC Semiconductor

MBRF30020R

পার্ট স্টক: 4240

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 150A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 150A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRT40030L
GeneSiC Semiconductor

MBRT40030L

পার্ট স্টক: 4265

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 200A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 580mV @ 200A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRT60040L
GeneSiC Semiconductor

MBRT60040L

পার্ট স্টক: 4249

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 300A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 300A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR60020CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR60020CTL

পার্ট স্টক: 4183

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 300A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 580mV @ 300A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRTA80040RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA80040RL

পার্ট স্টক: 4251

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 400A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 400A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR30040CTL
GeneSiC Semiconductor

MBR30040CTL

পার্ট স্টক: 4245

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 150A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 150A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBRTA60045RL
GeneSiC Semiconductor

MBRTA60045RL

পার্ট স্টক: 4298

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 300A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 300A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
FST16030L
GeneSiC Semiconductor

FST16030L

পার্ট স্টক: 4245

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 80A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 80A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR60040CTRL
GeneSiC Semiconductor

MBR60040CTRL

পার্ট স্টক: 4178

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 300A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 300A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা