FET প্রকার: N-Channel, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1200V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 3.3µA @ 1200V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 35A,
FET প্রকার: N-Channel, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1200V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 1.5µA @ 1200V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 26A,
