তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 650nm, বর্ণালী ব্যান্ডউইথ: 25nm, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (প্রকার): 2.1V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 3V, ক্যাপাসিট্যান্স: 30pF,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 850nm, বর্ণালী ব্যান্ডউইথ: 400nm, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, ক্যাপাসিট্যান্স: 21.5pF,
তরঙ্গদৈর্ঘ্য: 850nm, বর্ণালী ব্যান্ডউইথ: 400nm, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, ক্যাপাসিট্যান্স: 11pF,
