ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে | বিবিধ অর্ধপরিবাহী পণ্য | 7

APTM10TAM19FPG

পার্ট স্টক: 905

FET প্রকার: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 70A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 21 mOhm @ 35A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTC60TAM35PG

পার্ট স্টক: 622

FET প্রকার: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 72A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 35 mOhm @ 72A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 5.4mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTM20AM10STG

পার্ট স্টক: 814

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 175A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 5mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTC60HM70SCTG

পার্ট স্টক: 825

FET প্রকার: 4 N-Channel (H-Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 39A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 70 mOhm @ 39A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 2.7mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTM20HM20STG

পার্ট স্টক: 874

FET প্রকার: 4 N-Channel (H-Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 89A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 24 mOhm @ 44.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 2.5mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTC60AM35T1G

পার্ট স্টক: 1737

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 72A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 35 mOhm @ 72A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 5.4mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTM120A20SG

পার্ট স্টক: 517

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1200V (1.2kV), কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 50A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 240 mOhm @ 25A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 6mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTMC60TLM14CAG

পার্ট স্টক: 121

FET প্রকার: 4 N-Channel (Three Level Inverter), FET বৈশিষ্ট্য: Silicon Carbide (SiC), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1200V (1.2kV), কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 219A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 12 mOhm @ 150A, 20V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.4V @ 30mA (Typ),

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTM20DUM04G

পার্ট স্টক: 485

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 372A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5 mOhm @ 186A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 10mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTMC120AM12CT3AG

পার্ট স্টক: 202

FET প্রকার: 2 N Channel (Phase Leg), FET বৈশিষ্ট্য: Silicon Carbide (SiC), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1200V (1.2kV), কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 220A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 12 mOhm @ 150A, 20V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.4V @ 30mA (Typ),

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTC60TAM21SCTPAG

পার্ট স্টক: 341

FET প্রকার: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 116A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 21 mOhm @ 88A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.6V @ 6mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTM100A23STG

পার্ট স্টক: 772

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1000V (1kV), কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 36A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 270 mOhm @ 18A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 5mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTC60AM24T1G

পার্ট স্টক: 1322

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 95A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 5mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTMC120TAM17CTPAG

পার্ট স্টক: 81

FET প্রকার: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Silicon Carbide (SiC), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1200V (1.2kV), কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 147A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 17 mOhm @ 100A, 20V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.4V @ 20mA (Typ),

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTM60H23FT1G

পার্ট স্টক: 2039

FET প্রকার: 4 N-Channel (H-Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 20A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 276 mOhm @ 17A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 1mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTM50AM38FTG

পার্ট স্টক: 808

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 500V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 90A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 mOhm @ 45A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 5mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTM120A29FTG

পার্ট স্টক: 635

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1200V (1.2kV), কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 34A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 348 mOhm @ 17A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 5mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTM50DHM38G

পার্ট স্টক: 726

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 500V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 90A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 mOhm @ 45A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 5mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTM20DUM08TG

পার্ট স্টক: 866

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 208A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10 mOhm @ 104A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 5mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTM10AM02FG

পার্ট স্টক: 400

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 495A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.5 mOhm @ 200A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 10mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTM10DSKM09T3G

পার্ট স্টক: 1457

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 139A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 2.5mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTC60BBM24T3G

পার্ট স্টক: 1133

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 95A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 5mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTML602U12R020T3AG

পার্ট স্টক: 485

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 45A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 150 mOhm @ 22.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 2.5mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTC60HM70BT3G

পার্ট স্টক: 1289

FET প্রকার: 4 N-Channel (H-Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 39A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 70 mOhm @ 39A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 2.7mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTM20HM16FTG

পার্ট স্টক: 748

FET প্রকার: 4 N-Channel (H-Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 104A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 19 mOhm @ 52A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 2.5mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTM20AM10FTG

পার্ট স্টক: 856

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 175A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 12 mOhm @ 87.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 5mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTMC120AM09CT3AG

পার্ট স্টক: 162

FET প্রকার: 2 N Channel (Phase Leg), FET বৈশিষ্ট্য: Silicon Carbide (SiC), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1200V (1.2kV), কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 295A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 9 mOhm @ 200A, 20V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.4V @ 40mA (Typ),

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T1G

পার্ট স্টক: 2258

FET প্রকার: 2 N Channel (Dual Buck Chopper), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 39A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 70 mOhm @ 39A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 2.7mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTC60AM45BC1G

পার্ট স্টক: 1478

FET প্রকার: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 49A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 3mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTM10TAM09FPG

পার্ট স্টক: 558

FET প্রকার: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 139A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10 mOhm @ 69.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 2.5mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTM100DSK35T3G

পার্ট স্টক: 1267

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1000V (1kV), কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 22A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 420 mOhm @ 11A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 2.5mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTC60AM45B1G

পার্ট স্টক: 1093

FET প্রকার: 3 N Channel (Phase Leg + Boost Chopper), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 49A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 mOhm @ 24.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 3mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTM100H46FT3G

পার্ট স্টক: 1492

FET প্রকার: 4 N-Channel (H-Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1000V (1kV), কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 19A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 552 mOhm @ 16A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 2.5mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTM50HM75FTG

পার্ট স্টক: 809

FET প্রকার: 4 N-Channel (H-Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 500V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 46A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 90 mOhm @ 23A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 2.5mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTC60HM24T3G

পার্ট স্টক: 757

FET প্রকার: 4 N-Channel (H-Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Super Junction, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 95A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 24 mOhm @ 47.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 5mA,

ইচ্ছেতালিকা

Microsemi Corporation

APTM100AM90FG

পার্ট স্টক: 379

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1000V (1kV), কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 78A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 105 mOhm @ 39A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 10mA,

ইচ্ছেতালিকা