Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

  • বাড়ি
  •  
  • ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে
APTM100DU18TG
Microsemi Corporation

APTM100DU18TG

পার্ট স্টক: 2809

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1000V (1kV), কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 43A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 210 mOhm @ 21.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 5mA,

ইচ্ছেতালিকা
APTM100DDA35T3G
Microsemi Corporation

APTM100DDA35T3G

পার্ট স্টক: 2731

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1000V (1kV), কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 22A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 420 mOhm @ 11A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 2.5mA,

ইচ্ছেতালিকা
APTM100A46FT1G
Microsemi Corporation

APTM100A46FT1G

পার্ট স্টক: 2813

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1000V (1kV), কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 19A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 552 mOhm @ 16A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 2.5mA,

ইচ্ছেতালিকা
APTM100A40FT1G
Microsemi Corporation

APTM100A40FT1G

পার্ট স্টক: 2805

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1000V (1kV), কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 21A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 480 mOhm @ 18A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 2.5mA,

ইচ্ছেতালিকা
APTM100A12STG
Microsemi Corporation

APTM100A12STG

পার্ট স্টক: 2822

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1000V (1kV), কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 68A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 120 mOhm @ 34A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 10mA,

ইচ্ছেতালিকা
APTM100A23SCTG
Microsemi Corporation

APTM100A23SCTG

পার্ট স্টক: 2760

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Silicon Carbide (SiC), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1000V (1kV), কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 36A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 270 mOhm @ 18A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 5mA,

ইচ্ছেতালিকা
APTM08TDUM04PG
Microsemi Corporation

APTM08TDUM04PG

পার্ট স্টক: 2746

FET প্রকার: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 75V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 120A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.5 mOhm @ 60A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

ইচ্ছেতালিকা
APTC80H29T1G
Microsemi Corporation

APTC80H29T1G

পার্ট স্টক: 2742

FET প্রকার: 4 N-Channel (H-Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 800V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 15A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 1mA,

ইচ্ছেতালিকা
APTC80DSK29T3G
Microsemi Corporation

APTC80DSK29T3G

পার্ট স্টক: 2793

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 800V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 15A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 1mA,

ইচ্ছেতালিকা
APTC80H29SCTG
Microsemi Corporation

APTC80H29SCTG

পার্ট স্টক: 1092

FET প্রকার: 4 N-Channel (H-Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 800V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 15A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 1mA,

ইচ্ছেতালিকা
APTC80DDA29T3G
Microsemi Corporation

APTC80DDA29T3G

পার্ট স্টক: 2788

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 800V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 15A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 290 mOhm @ 7.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 1mA,

ইচ্ছেতালিকা
APTC80A15T1G
Microsemi Corporation

APTC80A15T1G

পার্ট স্টক: 2799

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 800V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 28A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 150 mOhm @ 14A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 2mA,

ইচ্ছেতালিকা
APTC80AM75SCG
Microsemi Corporation

APTC80AM75SCG

পার্ট স্টক: 594

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 800V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 56A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 75 mOhm @ 28A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 4mA,

ইচ্ছেতালিকা
APTC80A10SCTG
Microsemi Corporation

APTC80A10SCTG

পার্ট স্টক: 863

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 800V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 42A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 100 mOhm @ 21A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 3mA,

ইচ্ছেতালিকা
APTC60DSKM70T3G
Microsemi Corporation

APTC60DSKM70T3G

পার্ট স্টক: 2751

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 39A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 70 mOhm @ 39A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 2.7mA,

ইচ্ছেতালিকা
APTC60DSKM35T3G
Microsemi Corporation

APTC60DSKM35T3G

পার্ট স্টক: 2727

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 72A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 35 mOhm @ 72A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 5.4mA,

ইচ্ছেতালিকা
APTC60DDAM70T3G
Microsemi Corporation

APTC60DDAM70T3G

পার্ট স্টক: 2741

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 39A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 70 mOhm @ 39A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 2.7mA,

ইচ্ছেতালিকা
APTC60AM70T1G
Microsemi Corporation

APTC60AM70T1G

পার্ট স্টক: 2769

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 39A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 70 mOhm @ 39A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.9V @ 2.7mA,

ইচ্ছেতালিকা
JANTXV2N7334
Microsemi Corporation

JANTXV2N7334

পার্ট স্টক: 2993

FET প্রকার: 4 N-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 700 mOhm @ 600mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
JANTX2N7335
Microsemi Corporation

JANTX2N7335

পার্ট স্টক: 2875

FET প্রকার: 4 P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 750mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
JAN2N7335
Microsemi Corporation

JAN2N7335

পার্ট স্টক: 2942

FET প্রকার: 4 P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 750mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
JAN2N7334
Microsemi Corporation

JAN2N7334

পার্ট স্টক: 2865

FET প্রকার: 4 N-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 700 mOhm @ 600mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
JANTXV2N7335
Microsemi Corporation

JANTXV2N7335

পার্ট স্টক: 2903

FET প্রকার: 4 P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 750mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.4 Ohm @ 500mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা
JANTX2N7334
Microsemi Corporation

JANTX2N7334

পার্ট স্টক: 2911

FET প্রকার: 4 N-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 700 mOhm @ 600mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

ইচ্ছেতালিকা