Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - আইজিবিটি - মডিউল

  • বাড়ি
  •  
  • ট্রানজিস্টর - আইজিবিটি - মডিউল
APTGT75TA60PG
Microsemi Corporation

APTGT75TA60PG

পার্ট স্টক: 546

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Three Phase, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 250W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGV100H60BTPG
Microsemi Corporation

APTGV100H60BTPG

পার্ট স্টক: 5307

আইজিবিটি টাইপ: NPT, Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Boost Chopper, Full Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 340W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 100A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT75SK120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120T1G

পার্ট স্টক: 531

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 110A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 357W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT75SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75SK120D1G

পার্ট স্টক: 541

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 110A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 357W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT75DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH60TG

পার্ট স্টক: 521

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Asymmetrical Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 250W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT75DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT75DSK60T3G

পার্ট স্টক: 490

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Dual Buck Chopper, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 250W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT75DH120TG
Microsemi Corporation

APTGT75DH120TG

পার্ট স্টক: 478

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Asymmetrical Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 110A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 357W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT75DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170T1G

পার্ট স্টক: 540

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 130A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 465W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT75DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA170D1G

পার্ট স্টক: 464

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 120A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 520W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT75DA120T1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120T1G

পার্ট স্টক: 555

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 110A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 357W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT75A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A170D1G

পার্ট স্টক: 545

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Half Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 120A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 520W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT75DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75DA120D1G

পার্ট স্টক: 548

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 110A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 357W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT75A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT75A120D1G

পার্ট স্টক: 526

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Half Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 110A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 357W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 75A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT580U60D4G
Microsemi Corporation

APTGT580U60D4G

পার্ট স্টক: 526

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 760A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 1600W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 600A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT50TA170PG
Microsemi Corporation

APTGT50TA170PG

পার্ট স্টক: 482

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Three Phase, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 70A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 310W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT50SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50SK170D1G

পার্ট স্টক: 514

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 70A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 310W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT50DU170TG
Microsemi Corporation

APTGT50DU170TG

পার্ট স্টক: 476

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Dual, Common Source, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 75A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 312W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT50DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK60T3G

পার্ট স্টক: 541

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Dual Buck Chopper, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 176W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT50DSK120T3G
Microsemi Corporation

APTGT50DSK120T3G

পার্ট স্টক: 552

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Dual Buck Chopper, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 75A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 270W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT50DH60TG
Microsemi Corporation

APTGT50DH60TG

পার্ট স্টক: 528

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Asymmetrical Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 176W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT50DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170T1G

পার্ট স্টক: 3071

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 75A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 312W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT50DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA170D1G

পার্ট স্টক: 518

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 70A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 310W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT50DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50DA120D1G

পার্ট স্টক: 496

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 75A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 270W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT50A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A170D1G

পার্ট স্টক: 535

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Half Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 70A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 310W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT50A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT50A60T1G

পার্ট স্টক: 520

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Half Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 80A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 176W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT50A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT50A120D1G

পার্ট স্টক: 494

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Half Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 75A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 270W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT50A120TG
Microsemi Corporation

APTGT50A120TG

পার্ট স্টক: 483

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Half Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 75A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 277W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 50A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT450DU60G
Microsemi Corporation

APTGT450DU60G

পার্ট স্টক: 517

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Dual, Common Source, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 550A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 1750W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.8V @ 15V, 450A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT400SK60D3G
Microsemi Corporation

APTGT400SK60D3G

পার্ট স্টক: 472

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 1250W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 400A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT400DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400DA120D3G

পার্ট স্টক: 507

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 580A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 2100W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 400A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT400SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT400SK120D3G

পার্ট স্টক: 463

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 580A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 2100W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 400A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT35SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35SK120D1G

পার্ট স্টক: 527

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 55A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 205W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 35A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT35H120T1G
Microsemi Corporation

APTGT35H120T1G

পার্ট স্টক: 522

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Full Bridge Inverter, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 55A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 208W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 35A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT35A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35A120D1G

পার্ট স্টক: 463

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Half Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 55A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 205W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 35A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT35DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT35DA120D1G

পার্ট স্টক: 481

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 55A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 205W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 35A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT30SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30SK170D1G

পার্ট স্টক: 507

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 45A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 210W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 30A,

ইচ্ছেতালিকা