Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - আইজিবিটি - মডিউল

  • বাড়ি
  •  
  • ট্রানজিস্টর - আইজিবিটি - মডিউল
APTGT30SK170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30SK170T1G

পার্ট স্টক: 539

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 45A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 210W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 30A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT30H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30H60T3G

পার্ট স্টক: 462

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Full Bridge Inverter, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 90W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 30A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT30DDA60T3G
Microsemi Corporation

APTGT30DDA60T3G

পার্ট স্টক: 494

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Dual Boost Chopper, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 90W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 30A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT30DA170T1G
Microsemi Corporation

APTGT30DA170T1G

পার্ট স্টক: 474

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 45A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 210W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 30A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT30A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT30A60T1G

পার্ট স্টক: 506

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Half Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 90W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 30A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT30DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30DA170D1G

পার্ট স্টক: 525

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 45A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 210W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 30A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT300SK170D3G
Microsemi Corporation

APTGT300SK170D3G

পার্ট স্টক: 547

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 530A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 1470W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 300A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT30A170D1G
Microsemi Corporation

APTGT30A170D1G

পার্ট স্টক: 458

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Half Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 45A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 210W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 30A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT300DA120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300DA120D3G

পার্ট স্টক: 482

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 440A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 1250W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 300A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT300SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT300SK120D3G

পার্ট স্টক: 515

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 440A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 1250W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 300A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT25H120T1G
Microsemi Corporation

APTGT25H120T1G

পার্ট স্টক: 449

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Full Bridge Inverter, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 156W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 25A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT25SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25SK120D1G

পার্ট স্টক: 3101

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 140W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 25A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT25DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25DA120D1G

পার্ট স্টক: 503

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 140W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 25A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT25A120T1G
Microsemi Corporation

APTGT25A120T1G

পার্ট স্টক: 542

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Half Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 156W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 25A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT20X60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20X60T3G

পার্ট স্টক: 455

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Three Phase Inverter, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 32A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 62W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 20A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT25A120D1G
Microsemi Corporation

APTGT25A120D1G

পার্ট স্টক: 495

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Half Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 40A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 140W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 25A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT20DSK60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20DSK60T3G

পার্ট স্টক: 520

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Dual Buck Chopper, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 32A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 62W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 20A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT20H60T3G
Microsemi Corporation

APTGT20H60T3G

পার্ট স্টক: 543

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Full Bridge Inverter, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 32A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 62W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 20A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT20A60T1G
Microsemi Corporation

APTGT20A60T1G

পার্ট স্টক: 446

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Half Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 32A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 62W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 20A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT200SK170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200SK170D3G

পার্ট স্টক: 509

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 400A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 1250W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 200A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT200SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT200SK60TG

পার্ট স্টক: 478

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 290A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 625W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 200A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT200SK120D3G
Microsemi Corporation

APTGT200SK120D3G

পার্ট স্টক: 528

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 300A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 1050W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 200A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT200DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT200DA60TG

পার্ট স্টক: 520

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 290A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 625W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 200A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT200DA170D3G
Microsemi Corporation

APTGT200DA170D3G

পার্ট স্টক: 465

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 400A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 1250W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 200A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT200A60TG
Microsemi Corporation

APTGT200A60TG

পার্ট স্টক: 491

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Half Bridge, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 290A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 625W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 200A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT150SK170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150SK170D1G

পার্ট স্টক: 479

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 280A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 780W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 150A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT150SK60TG
Microsemi Corporation

APTGT150SK60TG

পার্ট স্টক: 527

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 225A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 480W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 150A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT150SK120TG
Microsemi Corporation

APTGT150SK120TG

পার্ট স্টক: 460

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 220A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 690W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 150A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT150SK120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150SK120D1G

পার্ট স্টক: 445

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 220A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 700W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 150A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT150DU60TG
Microsemi Corporation

APTGT150DU60TG

পার্ট স্টক: 491

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Dual, Common Source, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 225A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 480W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 150A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT150DU170G
Microsemi Corporation

APTGT150DU170G

পার্ট স্টক: 520

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Dual, Common Source, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 250A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 890W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 150A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT150DA60TG
Microsemi Corporation

APTGT150DA60TG

পার্ট স্টক: 521

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 600V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 225A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 480W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 1.9V @ 15V, 150A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT150DA170D1G
Microsemi Corporation

APTGT150DA170D1G

পার্ট স্টক: 476

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 280A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 780W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 150A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT150DA170G
Microsemi Corporation

APTGT150DA170G

পার্ট স্টক: 517

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1700V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 250A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 890W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.4V @ 15V, 150A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT150DA120D1G
Microsemi Corporation

APTGT150DA120D1G

পার্ট স্টক: 471

আইজিবিটি টাইপ: Trench Field Stop, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 220A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 700W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 150A,

ইচ্ছেতালিকা
APTGT150DA120TG
Microsemi Corporation

APTGT150DA120TG

পার্ট স্টক: 482

আইজিবিটি টাইপ: NPT, কনফিগারেশন: Single, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 1200V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 220A, শক্তি - সর্বোচ্চ: 690W, ভেস (অন) (সর্বাধিক) @ ভেজ, আইসি: 2.1V @ 15V, 150A,

ইচ্ছেতালিকা