ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 450MHz, লাভ করা: 20dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 220MHz, লাভ করা: 23.9dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 960MHz, লাভ করা: 19.4dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 1.8MHz ~ 1.215GHz, লাভ করা: 25.6dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V, বর্তমান রেরতিং: 2µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 2.9GHz, লাভ করা: 13.3dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 230MHz, লাভ করা: 26.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 960MHz, লাভ করা: 19dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 1.4GHz, লাভ করা: 17.7dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 1.99GHz, লাভ করা: 18.2dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 860MHz, লাভ করা: 22dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 2.3GHz, লাভ করা: 14.6dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 1.034GHz, লাভ করা: 19.6dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 820MHz, লাভ করা: 20.9dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 1.03GHz, লাভ করা: 20dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 21.1dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.09GHz, লাভ করা: 25dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 1.8MHz ~ 470MHz, লাভ করা: 24dB, বর্তমান রেরতিং: 100mA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HEMT, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.5GHz, লাভ করা: 18dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 960MHz, লাভ করা: 19.1dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.93GHz, লাভ করা: 17.8dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.8MHz ~ 500MHz, লাভ করা: 22.5dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 2.14GHz, লাভ করা: 18.1dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.3GHz, লাভ করা: 22.7dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HEMT, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.45GHz,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.88GHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.45GHz, লাভ করা: 15.2dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 32V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 920MHz, লাভ করা: 23.1dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 512MHz, লাভ করা: 26dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HEMT, ফ্রিকোয়েন্সি: 1MHz ~ 2.7GHz, লাভ করা: 18dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V, বর্তমান রেরতিং: 5mA,
