Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - জেএফইটি

  • বাড়ি
  •  
  • ট্রানজিস্টর - জেএফইটি
MMBF4393LT3G
ON Semiconductor

MMBF4393LT3G

পার্ট স্টক: 107197

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 5mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 500mV @ 10nA,

ইচ্ছেতালিকা
J108_D74Z
ON Semiconductor

J108_D74Z

পার্ট স্টক: 3438

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 80mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 3V @ 10nA,

ইচ্ছেতালিকা
J105_D74Z
ON Semiconductor

J105_D74Z

পার্ট স্টক: 5423

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 500mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 4.5V @ 1µA,

ইচ্ছেতালিকা
KSK596CBU
ON Semiconductor

KSK596CBU

পার্ট স্টক: 3378

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 20V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 100µA @ 5V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 1mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 1µA,

ইচ্ছেতালিকা
PN4117_D26Z
ON Semiconductor

PN4117_D26Z

পার্ট স্টক: 3452

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 30µA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 1nA,

ইচ্ছেতালিকা
MMBF5484LT1G
ON Semiconductor

MMBF5484LT1G

পার্ট স্টক: 3371

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 1mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 300mV @ 10nA,

ইচ্ছেতালিকা
J110RLRAG
ON Semiconductor

J110RLRAG

পার্ট স্টক: 3370

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 10mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 500mV @ 1µA,

ইচ্ছেতালিকা
J177
ON Semiconductor

J177

পার্ট স্টক: 3368

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 1.5mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 800mV @ 10nA,

ইচ্ছেতালিকা
J110_D75Z
ON Semiconductor

J110_D75Z

পার্ট স্টক: 3418

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 10mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 500mV @ 10nA,

ইচ্ছেতালিকা
PN4302
ON Semiconductor

PN4302

পার্ট স্টক: 3352

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 500µA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 4V @ 1nA,

ইচ্ছেতালিকা
J112
ON Semiconductor

J112

পার্ট স্টক: 143677

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 35V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 5mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1V @ 1µA,

ইচ্ছেতালিকা
J108_D27Z
ON Semiconductor

J108_D27Z

পার্ট স্টক: 3357

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 80mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 3V @ 10nA,

ইচ্ছেতালিকা
PN4119
ON Semiconductor

PN4119

পার্ট স্টক: 3372

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 200µA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2V @ 1nA,

ইচ্ছেতালিকা
PN4091
ON Semiconductor

PN4091

পার্ট স্টক: 3358

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 30mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 5V @ 1nA,

ইচ্ছেতালিকা
FJN598JBBU
ON Semiconductor

FJN598JBBU

পার্ট স্টক: 3487

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 20V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 100µA @ 5V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 1mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 1µA,

ইচ্ছেতালিকা
TF262TH-4-TL-H
ON Semiconductor

TF262TH-4-TL-H

পার্ট স্টক: 3436

FET প্রকার: N-Channel, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 140µA @ 2V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 1mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 200mV @ 1µA,

ইচ্ছেতালিকা
PN4118
ON Semiconductor

PN4118

পার্ট স্টক: 3353

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 80µA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1V @ 1nA,

ইচ্ছেতালিকা
PN4117A_J61Z
ON Semiconductor

PN4117A_J61Z

পার্ট স্টক: 3442

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 30µA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 1nA,

ইচ্ছেতালিকা
MMBFJ177LT1
ON Semiconductor

MMBFJ177LT1

পার্ট স্টক: 3506

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 1.5mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 800mV @ 10nA,

ইচ্ছেতালিকা
TF202THC-3-TL-H
ON Semiconductor

TF202THC-3-TL-H

পার্ট স্টক: 3405

FET প্রকার: N-Channel, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 140µA @ 5V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 1mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 200mV @ 1µA,

ইচ্ছেতালিকা
MMBFJ175
ON Semiconductor

MMBFJ175

পার্ট স্টক: 118669

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 7mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 3V @ 10nA,

ইচ্ছেতালিকা
MMBF4393
ON Semiconductor

MMBF4393

পার্ট স্টক: 133700

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 5mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 500mV @ 1nA,

ইচ্ছেতালিকা
TF414T5G
ON Semiconductor

TF414T5G

পার্ট স্টক: 139739

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 50µA @ 10V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 1mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 4V @ 1µA,

ইচ্ছেতালিকা
PN4393_D26Z
ON Semiconductor

PN4393_D26Z

পার্ট স্টক: 3434

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 5mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 500mV @ 1nA,

ইচ্ছেতালিকা
MMBF5103
ON Semiconductor

MMBF5103

পার্ট স্টক: 120554

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 10mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1.2V @ 1nA,

ইচ্ছেতালিকা
MMBFU310LT1G
ON Semiconductor

MMBFU310LT1G

পার্ট স্টক: 155085

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 24mA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2.5V @ 1nA,

ইচ্ছেতালিকা
PN5432
ON Semiconductor

PN5432

পার্ট স্টক: 3377

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 150mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 4V @ 3nA,

ইচ্ছেতালিকা
J175
ON Semiconductor

J175

পার্ট স্টক: 3377

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 7mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 3V @ 10nA,

ইচ্ছেতালিকা
MMBF4092
ON Semiconductor

MMBF4092

পার্ট স্টক: 199131

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 15mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2V @ 1nA,

ইচ্ছেতালিকা
J105
ON Semiconductor

J105

পার্ট স্টক: 96371

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 500mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 4.5V @ 1µA,

ইচ্ছেতালিকা
FJN598JCBU
ON Semiconductor

FJN598JCBU

পার্ট স্টক: 3390

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 20V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 100µA @ 5V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 1mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 1µA,

ইচ্ছেতালিকা
J174_D27Z
ON Semiconductor

J174_D27Z

পার্ট স্টক: 3440

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 20mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 5V @ 10nA,

ইচ্ছেতালিকা
EC3A03B-TL-H
ON Semiconductor

EC3A03B-TL-H

পার্ট স্টক: 3447

FET প্রকার: N-Channel, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 50µA @ 20V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 1mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1.5V @ 1µA,

ইচ্ছেতালিকা
KSK596PCWD
ON Semiconductor

KSK596PCWD

পার্ট স্টক: 3392

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 20V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 100µA @ 5V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 1mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 1µA,

ইচ্ছেতালিকা
MMBF5458
ON Semiconductor

MMBF5458

পার্ট স্টক: 132490

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 2mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1V @ 10nA,

ইচ্ছেতালিকা
MMBF4119
ON Semiconductor

MMBF4119

পার্ট স্টক: 167525

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 200µA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2V @ 1nA,

ইচ্ছেতালিকা