লজিক প্রকার: NAND Gate, সার্কিটের সংখ্যা: 4, ইনপুট সংখ্যা: 2, ভোল্টেজ সরবরাহ: 2V ~ 6V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 4µA,
লজিক প্রকার: AND Gate, সার্কিটের সংখ্যা: 3, ইনপুট সংখ্যা: 3, ভোল্টেজ সরবরাহ: 2V ~ 6V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 1µA,
লজিক প্রকার: OR Gate, সার্কিটের সংখ্যা: 2, ইনপুট সংখ্যা: 4, ভোল্টেজ সরবরাহ: 1.65V ~ 5.5V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 1µA,
লজিক প্রকার: AND Gate, সার্কিটের সংখ্যা: 2, ইনপুট সংখ্যা: 4, ভোল্টেজ সরবরাহ: 3V ~ 18V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 1µA,
লজিক প্রকার: AND Gate, সার্কিটের সংখ্যা: 4, ইনপুট সংখ্যা: 2, ভোল্টেজ সরবরাহ: 3V ~ 18V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 1µA,
লজিক প্রকার: Inverter, সার্কিটের সংখ্যা: 6, ইনপুট সংখ্যা: 6, বৈশিষ্ট্য: Schmitt Trigger, ভোল্টেজ সরবরাহ: 2V ~ 5.5V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 2µA,
লজিক প্রকার: AND Gate, সার্কিটের সংখ্যা: 3, ইনপুট সংখ্যা: 3, ভোল্টেজ সরবরাহ: 2V ~ 6V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 4µA,
লজিক প্রকার: NAND Gate, সার্কিটের সংখ্যা: 4, ইনপুট সংখ্যা: 2, বৈশিষ্ট্য: Schmitt Trigger, ভোল্টেজ সরবরাহ: 2V ~ 6V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 2µA,
লজিক প্রকার: OR Gate, সার্কিটের সংখ্যা: 4, ইনপুট সংখ্যা: 2, ভোল্টেজ সরবরাহ: 2V ~ 6V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 1µA,
লজিক প্রকার: Inverter, সার্কিটের সংখ্যা: 6, ইনপুট সংখ্যা: 6, বৈশিষ্ট্য: Schmitt Trigger, ভোল্টেজ সরবরাহ: 2V ~ 6V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 2µA,
লজিক প্রকার: Inverter, সার্কিটের সংখ্যা: 6, ইনপুট সংখ্যা: 6, বৈশিষ্ট্য: Open Drain, ভোল্টেজ সরবরাহ: 2V ~ 6V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 1µA,
লজিক প্রকার: NAND Gate, সার্কিটের সংখ্যা: 1, ইনপুট সংখ্যা: 2, ভোল্টেজ সরবরাহ: 1.65V ~ 5.5V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 2µA,
লজিক প্রকার: Inverter, সার্কিটের সংখ্যা: 6, ইনপুট সংখ্যা: 6, বৈশিষ্ট্য: Schmitt Trigger, ভোল্টেজ সরবরাহ: 2V ~ 6V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 1µA,
লজিক প্রকার: AND Gate, সার্কিটের সংখ্যা: 4, ইনপুট সংখ্যা: 2, ভোল্টেজ সরবরাহ: 4.5V ~ 5.5V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 4µA,
লজিক প্রকার: Inverter, সার্কিটের সংখ্যা: 6, ইনপুট সংখ্যা: 6, ভোল্টেজ সরবরাহ: 2V ~ 6V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 2µA,
লজিক প্রকার: Inverter, সার্কিটের সংখ্যা: 6, ইনপুট সংখ্যা: 6, বৈশিষ্ট্য: Open Drain, ভোল্টেজ সরবরাহ: 4.5V ~ 5.5V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 2µA,
লজিক প্রকার: Inverter, সার্কিটের সংখ্যা: 6, ইনপুট সংখ্যা: 6, বৈশিষ্ট্য: Schmitt Trigger, ভোল্টেজ সরবরাহ: 4.5V ~ 5.5V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 1µA,
লজিক প্রকার: NAND Gate, সার্কিটের সংখ্যা: 4, ইনপুট সংখ্যা: 2, বৈশিষ্ট্য: Schmitt Trigger, ভোল্টেজ সরবরাহ: 2V ~ 6V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 1µA,
লজিক প্রকার: AND Gate, সার্কিটের সংখ্যা: 4, ইনপুট সংখ্যা: 2, ভোল্টেজ সরবরাহ: 2V ~ 6V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 2µA,
লজিক প্রকার: Inverter, সার্কিটের সংখ্যা: 6, ইনপুট সংখ্যা: 6, ভোল্টেজ সরবরাহ: 2V ~ 6V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 1µA,
লজিক প্রকার: AND Gate, সার্কিটের সংখ্যা: 1, ইনপুট সংখ্যা: 2, ভোল্টেজ সরবরাহ: 1.65V ~ 5.5V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 2µA,
লজিক প্রকার: OR Gate, সার্কিটের সংখ্যা: 4, ইনপুট সংখ্যা: 2, ভোল্টেজ সরবরাহ: 2V ~ 6V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 2µA,
লজিক প্রকার: XOR (Exclusive OR), সার্কিটের সংখ্যা: 4, ইনপুট সংখ্যা: 2, ভোল্টেজ সরবরাহ: 2V ~ 6V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 2µA,
লজিক প্রকার: XOR (Exclusive OR), সার্কিটের সংখ্যা: 4, ইনপুট সংখ্যা: 2, ভোল্টেজ সরবরাহ: 4.5V ~ 5.5V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 4µA,
লজিক প্রকার: NAND Gate, সার্কিটের সংখ্যা: 4, ইনপুট সংখ্যা: 2, ভোল্টেজ সরবরাহ: 3V ~ 18V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 1µA,
লজিক প্রকার: Inverter, সার্কিটের সংখ্যা: 6, ইনপুট সংখ্যা: 6, ভোল্টেজ সরবরাহ: 2V ~ 3.6V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 10µA,
লজিক প্রকার: NAND Gate, সার্কিটের সংখ্যা: 4, ইনপুট সংখ্যা: 2, ভোল্টেজ সরবরাহ: 4.5V ~ 5.5V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 4µA,
লজিক প্রকার: AND Gate, সার্কিটের সংখ্যা: 4, ইনপুট সংখ্যা: 2, ভোল্টেজ সরবরাহ: 4.5V ~ 5.5V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 2µA,
লজিক প্রকার: XOR (Exclusive OR), সার্কিটের সংখ্যা: 4, ইনপুট সংখ্যা: 2, ভোল্টেজ সরবরাহ: 2V ~ 6V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 4µA,
লজিক প্রকার: OR Gate, সার্কিটের সংখ্যা: 4, ইনপুট সংখ্যা: 2, ভোল্টেজ সরবরাহ: 4.5V ~ 5.5V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 1µA,
লজিক প্রকার: Inverter, সার্কিটের সংখ্যা: 6, ইনপুট সংখ্যা: 6, বৈশিষ্ট্য: Schmitt Trigger, ভোল্টেজ সরবরাহ: 3V ~ 18V, বর্তমান - নিরিবিলি (সর্বোচ্চ): 1µA,
