ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক

DSP10G-TR-E

পার্ট স্টক: 2296

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 1A, দ্রুততা: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

MBRS340PT3G

পার্ট স্টক: 2297

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 500mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

FFH60UP40S

পার্ট স্টক: 18615

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 60A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 60A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 85ns,

FFSH5065A

পার্ট স্টক: 2728

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 60A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.75V @ 50A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

MBRD320G

পার্ট স্টক: 92762

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

FFSH15120A

পার্ট স্টক: 2864

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 26A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.75V @ 15A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

MBRS360PT3G

পার্ট স্টক: 2361

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 630mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

NGTD13R120F2WP

পার্ট স্টক: 83441

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.6V @ 25A,

FFH60UP40S3

পার্ট স্টক: 17347

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 60A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 60A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 85ns,

FFSH20120A

পার্ট স্টক: 3088

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.75V @ 20A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

MBRS540PT3G

পার্ট স্টক: 2336

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 500mV @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RHRG30120

পার্ট স্টক: 27057

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 3.2V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 85ns,

FFSH20120A-F085

পার্ট স্টক: 2878

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A (DC), দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

MURF1560G

পার্ট স্টক: 51664

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 60ns,

FFH75H60S

পার্ট স্টক: 33664

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 75A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.2V @ 75A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 75ns,

FFSH3065A

পার্ট স্টক: 2788

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 26A (DC), দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

RHRP1560

পার্ট স্টক: 58179

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.1V @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 40ns,

SB05-05C-M-TB-E

পার্ট স্টক: 5343

MBR1035G

পার্ট স্টক: 92783

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 840mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RHRP3060

পার্ট স্টক: 43910

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.1V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 45ns,

UD0506T-TL-H

পার্ট স্টক: 194043

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 150ns,

NRVBB1645T4G

পার্ট স্টক: 69753

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 16A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 630mV @ 16A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

FFSP0865A

পার্ট স্টক: 4015

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 13A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.75V @ 8A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

ISL9R1560P2-F085

পার্ট স্টক: 4321

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.2V @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 30ns,

FFSP08120A

পার্ট স্টক: 13954

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 8A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.75V @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBRD330G

পার্ট স্টক: 182939

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RHRP30120-F102

পার্ট স্টক: 3982

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 3.2V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 85ns,

UD1006FR-H

পার্ট স্টক: 104945

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 150ns,

MUR2100EG

পার্ট স্টক: 149532

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.2V @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 100ns,

RURG3060

পার্ট স্টক: 25198

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 60ns,

RHRP15120-F102

পার্ট স্টক: 4238

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 3.2V @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 75ns,

FFPF08S60STTU

পার্ট স্টক: 122549

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.6V @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 30ns,

NSR05F40QNXT5G

পার্ট স্টক: 155560

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 500mA (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 460mV @ 500mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MUR810G

পার্ট স্টক: 80514

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 8A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 975mV @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 35ns,

NSR10F30QNXT5G

পার্ট স্টক: 162476

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 470mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RD0306T-TL-H

পার্ট স্টক: 143234

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 50ns,