Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - একক

  • বাড়ি
  •  
  • ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - একক
KSA812YMTF
ON Semiconductor

KSA812YMTF

পার্ট স্টক: 193637

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 10mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 135 @ 1mA, 6V,

ইচ্ছেতালিকা
MPS6562_D75Z
ON Semiconductor

MPS6562_D75Z

পার্ট স্টক: 6456

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 25V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 50mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 500mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
MJD117
ON Semiconductor

MJD117

পার্ট স্টক: 6329

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 100V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 3V @ 40mA, 4A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 20µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 1000 @ 2A, 3V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSA55_D74Z
ON Semiconductor

MPSA55_D74Z

পার্ট স্টক: 6474

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 250mV @ 10mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 100mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
MPS651G
ON Semiconductor

MPS651G

পার্ট স্টক: 6442

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 200mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 75 @ 1A, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
MPS2222AZL1
ON Semiconductor

MPS2222AZL1

পার্ট স্টক: 6433

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 600mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 50mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 150mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
CPH3223-TL-E
ON Semiconductor

CPH3223-TL-E

পার্ট স্টক: 196089

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 3A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 240mV @ 100mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 200 @ 100mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
MPS8098G
ON Semiconductor

MPS8098G

পার্ট স্টক: 6446

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
MPS6531_D75Z
ON Semiconductor

MPS6531_D75Z

পার্ট স্টক: 6496

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 10mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 90 @ 100mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
NJVMJD45H11D3T4G
ON Semiconductor

NJVMJD45H11D3T4G

পার্ট স্টক: 13146

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 8A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 400mA, 8A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 40 @ 4A, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
MPS6513_D74Z
ON Semiconductor

MPS6513_D74Z

পার্ট স্টক: 6484

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 200mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 90 @ 2mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSW55RLRA
ON Semiconductor

MPSW55RLRA

পার্ট স্টক: 6414

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 10mA, 250mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 500nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 250mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
FJPF13007H2TTU
ON Semiconductor

FJPF13007H2TTU

পার্ট স্টক: 6208

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 8A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 400V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 3V @ 2A, 8A, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 26 @ 2A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
PN2222ARLRMG
ON Semiconductor

PN2222ARLRMG

পার্ট স্টক: 6439

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 600mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 50mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 150mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
MPS6725RLRPG
ON Semiconductor

MPS6725RLRPG

পার্ট স্টক: 6440

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 2mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 4000 @ 1A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSA13RLRAG
ON Semiconductor

MPSA13RLRAG

পার্ট স্টক: 6149

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 100µA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 10000 @ 100mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
SBF720T1G
ON Semiconductor

SBF720T1G

পার্ট স্টক: 172301

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 300V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 600mV @ 5mA, 30mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 25mA, 20V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSW01ARLRP
ON Semiconductor

MPSW01ARLRP

পার্ট স্টক: 6459

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 100mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 100mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSA28_D27Z
ON Semiconductor

MPSA28_D27Z

পার্ট স্টক: 6486

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 800mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 100µA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 500nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 10000 @ 100mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
FJP5021OV
ON Semiconductor

FJP5021OV

পার্ট স্টক: 6082

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 500V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 600mA, 3A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 20 @ 600mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
KSC2330ASHBU
ON Semiconductor

KSC2330ASHBU

পার্ট স্টক: 6725

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 400V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 1mA, 10mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 40 @ 20mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
MPS6523G
ON Semiconductor

MPS6523G

পার্ট স্টক: 6713

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 25V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 300 @ 2mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSA92_J22Z
ON Semiconductor

MPSA92_J22Z

পার্ট স্টক: 6571

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 300V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 2mA, 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 250nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 25 @ 30mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
FJP13007H1
ON Semiconductor

FJP13007H1

পার্ট স্টক: 6066

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 8A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 400V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 3V @ 2A, 8A, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 15 @ 2A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
MJE18006G
ON Semiconductor

MJE18006G

পার্ট স্টক: 6359

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 6A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 450V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 700mV @ 600mA, 3A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 6 @ 3A, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
NJVMJD50T4G
ON Semiconductor

NJVMJD50T4G

পার্ট স্টক: 148769

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 400V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 200mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 200µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 300mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSA42_J22Z
ON Semiconductor

MPSA42_J22Z

পার্ট স্টক: 6503

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 300V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 2mA, 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 40 @ 30mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSA92RLRP
ON Semiconductor

MPSA92RLRP

পার্ট স্টক: 6407

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 300V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 2mA, 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 250nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 25 @ 30mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSA28_D75Z
ON Semiconductor

MPSA28_D75Z

পার্ট স্টক: 6502

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 800mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 100µA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 500nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 10000 @ 100mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSA13_D74Z
ON Semiconductor

MPSA13_D74Z

পার্ট স্টক: 6475

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1.2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 100µA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 10000 @ 100mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
NSVT489AMT1G
ON Semiconductor

NSVT489AMT1G

পার্ট স্টক: 184776

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 200mV @ 100mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 300 @ 500mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
KSD5018TU
ON Semiconductor

KSD5018TU

পার্ট স্টক: 6087

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 4A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 275V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 20mA, 3A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1mA,

ইচ্ছেতালিকা
NSCT817-40LT3G
ON Semiconductor

NSCT817-40LT3G

পার্ট স্টক: 6403

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 45V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 700mV @ 50mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 250 @ 100mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
PN100_D75Z
ON Semiconductor

PN100_D75Z

পার্ট স্টক: 6733

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 45V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 20mA, 200mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 150mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
MPSA29_D75Z
ON Semiconductor

MPSA29_D75Z

পার্ট স্টক: 6480

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 800mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 100V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 100µA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 500nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 10000 @ 100mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
KSB708OTU
ON Semiconductor

KSB708OTU

পার্ট স্টক: 6613

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 7A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 500mA, 5A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 60 @ 3A, 1V,

ইচ্ছেতালিকা