Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - একক

  • বাড়ি
  •  
  • ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - একক
BUH150G
ON Semiconductor

BUH150G

পার্ট স্টক: 6382

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 15A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 700V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 5V @ 4A, 20A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 8 @ 10A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BUH100G
ON Semiconductor

BUH100G

পার্ট স্টক: 6332

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 10A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 400V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 750mV @ 1.5A, 7A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 10 @ 5A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BUD42DG
ON Semiconductor

BUD42DG

পার্ট স্টক: 6405

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 4A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 350V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 500mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 10 @ 2A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BUD42D-1G
ON Semiconductor

BUD42D-1G

পার্ট স্টক: 6395

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 4A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 350V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 500mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 10 @ 2A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BUB323Z
ON Semiconductor

BUB323Z

পার্ট স্টক: 6405

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 10A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 350V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.7V @ 250mA, 10A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 500 @ 5A, 4.6V,

ইচ্ছেতালিকা
BUD42D
ON Semiconductor

BUD42D

পার্ট স্টক: 6330

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 4A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 350V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 500mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 10 @ 2A, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BSV52LT1
ON Semiconductor

BSV52LT1

পার্ট স্টক: 6323

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 40 @ 10mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
BU323Z
ON Semiconductor

BU323Z

পার্ট স্টক: 6401

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 10A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 350V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.7V @ 250mA, 10A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 500 @ 5A, 4.6V,

ইচ্ছেতালিকা
BSS64LT1
ON Semiconductor

BSS64LT1

পার্ট স্টক: 6393

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 200mV @ 15mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 20 @ 10mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
BSP52T3
ON Semiconductor

BSP52T3

পার্ট স্টক: 6692

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.3V @ 500µA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 2000 @ 500mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
BC308ATFR
ON Semiconductor

BC308ATFR

পার্ট স্টক: 6379

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 25V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 5mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 15nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 2mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BSP16T1
ON Semiconductor

BSP16T1

পার্ট স্টক: 6367

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 300V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 2V @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 50mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
BF721T1
ON Semiconductor

BF721T1

পার্ট স্টক: 6328

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 300V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 800mV @ 5mA, 30mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 25mA, 20V,

ইচ্ছেতালিকা
BF493SG
ON Semiconductor

BF493SG

পার্ট স্টক: 6359

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 350V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 2V @ 2mA, 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 40 @ 10mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
BF720T3G
ON Semiconductor

BF720T3G

পার্ট স্টক: 6333

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 300V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 600mV @ 5mA, 30mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 25mA, 20V,

ইচ্ছেতালিকা
BC639_D75Z
ON Semiconductor

BC639_D75Z

পার্ট স্টক: 6404

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 50mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 40 @ 150mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
BF493S
ON Semiconductor

BF493S

পার্ট স্টক: 6369

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 350V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 2V @ 2mA, 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 40 @ 10mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
BF423ZL1
ON Semiconductor

BF423ZL1

পার্ট স্টক: 5675

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 250V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 2mA, 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 25mA, 20V,

ইচ্ছেতালিকা
BF422ZL1G
ON Semiconductor

BF422ZL1G

পার্ট স্টক: 6311

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 250V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 2mA, 20mA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 25mA, 20V,

ইচ্ছেতালিকা
BF423G
ON Semiconductor

BF423G

পার্ট স্টক: 6360

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 250V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 2mA, 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 25mA, 20V,

ইচ্ছেতালিকা
BC33825BU
ON Semiconductor

BC33825BU

পার্ট স্টক: 6310

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 800mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 25V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 700mV @ 50mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 160 @ 100mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
BC237BTFR
ON Semiconductor

BC237BTFR

পার্ট স্টক: 6356

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 45V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 600mV @ 5mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 15nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 180 @ 2mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
BF422ZL1
ON Semiconductor

BF422ZL1

পার্ট স্টক: 6382

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 250V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 2mA, 20mA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 25mA, 20V,

ইচ্ছেতালিকা
BF422
ON Semiconductor

BF422

পার্ট স্টক: 6368

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 250V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 2mA, 20mA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 25mA, 20V,

ইচ্ছেতালিকা
BF422G
ON Semiconductor

BF422G

পার্ট স্টক: 6366

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 250V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 2mA, 20mA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 25mA, 20V,

ইচ্ছেতালিকা
BF421ZL1G
ON Semiconductor

BF421ZL1G

পার্ট স্টক: 6367

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 300V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 2mA, 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 25mA, 20V,

ইচ্ছেতালিকা
BF421ZL1
ON Semiconductor

BF421ZL1

পার্ট স্টক: 6380

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 300V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 2mA, 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 25mA, 20V,

ইচ্ছেতালিকা
BF420ZL1G
ON Semiconductor

BF420ZL1G

পার্ট স্টক: 6374

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 300V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 2mA, 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 25mA, 20V,

ইচ্ছেতালিকা
BF393ZL1G
ON Semiconductor

BF393ZL1G

পার্ট স্টক: 6336

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 300V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 2V @ 2mA, 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 40 @ 10mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
BF393ZL1
ON Semiconductor

BF393ZL1

পার্ট স্টক: 6316

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 300V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 2V @ 2mA, 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 40 @ 10mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
BF393G
ON Semiconductor

BF393G

পার্ট স্টক: 6355

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 300V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 2V @ 2mA, 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 40 @ 10mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
BDW42
ON Semiconductor

BDW42

পার্ট স্টক: 6387

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 15A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 100V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 3V @ 50mA, 10A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 2mA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 1000 @ 5A, 4V,

ইচ্ছেতালিকা
BDV64B
ON Semiconductor

BDV64B

পার্ট স্টক: 6342

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 10A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 100V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 2V @ 20mA, 5A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1mA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 1000 @ 5A, 4V,

ইচ্ছেতালিকা
BDC01DRL1G
ON Semiconductor

BDC01DRL1G

পার্ট স্টক: 6398

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 100V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 700mV @ 100mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 40 @ 100mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
BD810
ON Semiconductor

BD810

পার্ট স্টক: 6391

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 10A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.1V @ 300mA, 3A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1mA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 15 @ 4A, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
BD787
ON Semiconductor

BD787

পার্ট স্টক: 6713

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 4A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 2.5V @ 800mA, 4A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100µA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 40 @ 200mA, 3V,

ইচ্ছেতালিকা