Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
0RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - একক, প্রাক-বায়া

  • বাড়ি
  •  
  • ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - একক, প্রাক-বায়া
DTC014TMT2L
Rohm Semiconductor

DTC014TMT2L

পার্ট স্টক: 146859

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DTA023EUBTL
Rohm Semiconductor

DTA023EUBTL

পার্ট স্টক: 109376

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 2.2 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 20 @ 20mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DTA124EMT2L
Rohm Semiconductor

DTA124EMT2L

পার্ট স্টক: 186106

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 56 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTC123EKAT146
Rohm Semiconductor

DTC123EKAT146

পার্ট স্টক: 191048

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 2.2 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 20 @ 20mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTB523YETL
Rohm Semiconductor

DTB523YETL

পার্ট স্টক: 118932

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 140 @ 100mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
DTC123YCAHZGT116
Rohm Semiconductor

DTC123YCAHZGT116

পার্ট স্টক: 134

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased + Diode, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 33 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTC124XCAT116
Rohm Semiconductor

DTC124XCAT116

পার্ট স্টক: 191467

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 68 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTC123ECAT116
Rohm Semiconductor

DTC123ECAT116

পার্ট স্টক: 156862

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 2.2 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 20 @ 20mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTD123EKT146
Rohm Semiconductor

DTD123EKT146

পার্ট স্টক: 144102

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 2.2 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 39 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTC143ZCAHZGT116
Rohm Semiconductor

DTC143ZCAHZGT116

পার্ট স্টক: 59

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased + Diode, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTA044EMT2L
Rohm Semiconductor

DTA044EMT2L

পার্ট স্টক: 177120

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DTD513ZMT2L
Rohm Semiconductor

DTD513ZMT2L

পার্ট স্টক: 128968

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 1 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 140 @ 100mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
DTA143ZEFRATL
Rohm Semiconductor

DTA143ZEFRATL

পার্ট স্টক: 117

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTA044EUBTL
Rohm Semiconductor

DTA044EUBTL

পার্ট স্টক: 149153

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DTC143XKAT146
Rohm Semiconductor

DTC143XKAT146

পার্ট স্টক: 125082

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTA123EKAT146
Rohm Semiconductor

DTA123EKAT146

পার্ট স্টক: 150087

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 2.2 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 20 @ 20mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTA115TUAT106
Rohm Semiconductor

DTA115TUAT106

পার্ট স্টক: 138402

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 100 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTA114YETL
Rohm Semiconductor

DTA114YETL

পার্ট স্টক: 179626

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 68 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTC114EU3T106
Rohm Semiconductor

DTC114EU3T106

পার্ট স্টক: 54

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased + Diode, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTC143ZMFHAT2L
Rohm Semiconductor

DTC143ZMFHAT2L

পার্ট স্টক: 84

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased + Diode, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTC143ZETL
Rohm Semiconductor

DTC143ZETL

পার্ট স্টক: 147732

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTD513ZETL
Rohm Semiconductor

DTD513ZETL

পার্ট স্টক: 111992

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 1 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 140 @ 100mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
DTA014YUBTL
Rohm Semiconductor

DTA014YUBTL

পার্ট স্টক: 100860

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 70mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DTC124ECAT116
Rohm Semiconductor

DTC124ECAT116

পার্ট স্টক: 124285

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 56 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTC024XUBTL
Rohm Semiconductor

DTC024XUBTL

পার্ট স্টক: 112952

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DTA143XMT2L
Rohm Semiconductor

DTA143XMT2L

পার্ট স্টক: 143347

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTB114ECHZGT116
Rohm Semiconductor

DTB114ECHZGT116

পার্ট স্টক: 133

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased + Diode, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 56 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTC013ZMT2L
Rohm Semiconductor

DTC013ZMT2L

পার্ট স্টক: 156674

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 1 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 5mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
DTD513ZMGT2L
Rohm Semiconductor

DTD513ZMGT2L

পার্ট স্টক: 143

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 1 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 140 @ 100mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
DTB123YCT116
Rohm Semiconductor

DTB123YCT116

পার্ট স্টক: 160321

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 56 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTA143EMFHAT2L
Rohm Semiconductor

DTA143EMFHAT2L

পার্ট স্টক: 62

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTA124XETL
Rohm Semiconductor

DTA124XETL

পার্ট স্টক: 199013

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 68 @ 5mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTB114EKT146
Rohm Semiconductor

DTB114EKT146

পার্ট স্টক: 105707

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 56 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTD113ZUT106
Rohm Semiconductor

DTD113ZUT106

পার্ট স্টক: 180842

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 1 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 82 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTA144TMT2L
Rohm Semiconductor

DTA144TMT2L

পার্ট স্টক: 121936

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
DTC114TETL
Rohm Semiconductor

DTC114TETL

পার্ট স্টক: 132676

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Pre-Biased, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা