ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - অ্যারে

BA12004BF-E2

BA12004BF-E2

পার্ট স্টক: 184029

ট্রানজিস্টর প্রকার: 7 NPN Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.6V @ 500µA, 350mA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 1000 @ 350mA, 2V,

IMX25T110

IMX25T110

পার্ট স্টক: 176308

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 300mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 100mV @ 3mA, 30mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 820 @ 4ma, 2V,

UMH3NFHATN

UMH3NFHATN

পার্ট স্টক: 54

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 250µA, 5mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 500nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1mA, 5V,

EMX1FHAT2R

EMX1FHAT2R

পার্ট স্টক: 86

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

UMB4NFHATN

UMB4NFHATN

পার্ট স্টক: 65

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 1mA, 10mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 500nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1mA, 5V,

UMB10NFHATN

UMB10NFHATN

পার্ট স্টক: 86

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 250µA, 5mA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

IMT18T110

IMT18T110

পার্ট স্টক: 189248

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 250mV @ 10mA, 200mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 270 @ 10mA, 2V,

UMY1NTR

UMY1NTR

পার্ট স্টক: 105089

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, PNP (Emitter Coupled), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

UMB2NFHATN

UMB2NFHATN

পার্ট স্টক: 120

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 500µA, 10mA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 68 @ 5mA, 5V,

UMB3NFHATN

UMB3NFHATN

পার্ট স্টক: 123

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 250µA, 5mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 500nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 1mA, 5V,

EMX18T2R

EMX18T2R

পার্ট স্টক: 102854

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 250mV @ 10mA, 200mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 270 @ 10mA, 2V,

IMX9T110

IMX9T110

পার্ট স্টক: 121142

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 20mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 500nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 560 @ 10mA, 3V,

EMX1T2R

EMX1T2R

পার্ট স্টক: 141083

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

UMX18NTN

UMX18NTN

পার্ট স্টক: 176996

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 250mV @ 10mA, 200mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 270 @ 10mA, 2V,

UMZ7NTR

UMZ7NTR

পার্ট স্টক: 173450

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 250mV @ 10mA, 200mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 270 @ 10mA, 2V,

UMX3NTR

UMX3NTR

পার্ট স্টক: 161100

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

IMT4T108

IMT4T108

পার্ট স্টক: 120898

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 120V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 1mA, 10mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 500nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 180 @ 2mA, 6V,

EMZ1T2R

EMZ1T2R

পার্ট স্টক: 159590

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

EMX2T2R

EMX2T2R

পার্ট স্টক: 130305

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

UMX5NTR

UMX5NTR

পার্ট স্টক: 180998

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 11V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 5mA, 10mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 500nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 56 @ 5mA, 10V,

IMZ1AT108

IMZ1AT108

পার্ট স্টক: 154056

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

IMT17T110

IMT17T110

পার্ট স্টক: 4489

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 600mV @ 50mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 100mA, 3V,

IMX2T108

IMX2T108

পার্ট স্টক: 126207

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

UMT2NTR

UMT2NTR

পার্ট স্টক: 166499

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

EMX52T2R

EMX52T2R

পার্ট স্টক: 177844

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

VT6X1T2R

VT6X1T2R

পার্ট স্টক: 181553

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 200mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 10mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 2V,

QST8TR

QST8TR

পার্ট স্টক: 165043

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1.5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 200mV @ 25mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 270 @ 200mA, 2V,

EMZ8T2R

EMZ8T2R

পার্ট স্টক: 146330

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, 12V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 50mA / 250mV @ 10mA, 200mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V / 270 @ 10mA, 2V,

EMX26T2R

EMX26T2R

পার্ট স্টক: 150147

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 300nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 820 @ 50mA, 5V,

EMY1T2R

EMY1T2R

পার্ট স্টক: 115385

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, PNP (Emitter Coupled), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

EMT1T2R

EMT1T2R

পার্ট স্টক: 173955

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

EMT18T2R

EMT18T2R

পার্ট স্টক: 174521

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 12V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 250mV @ 10mA, 200mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 270 @ 10mA, 2V,

EMX4T2R

EMX4T2R

পার্ট স্টক: 175722

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 4mA, 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 500nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 56 @ 10mA, 10V,

UMX1NTN

UMX1NTN

পার্ট স্টক: 147331

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

IMT2AT108

IMT2AT108

পার্ট স্টক: 186534

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

VT6X2T2R

VT6X2T2R

পার্ট স্টক: 143381

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,