ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক

RB421DT146

পার্ট স্টক: 162882

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 100mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 100mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

RB021VAM90TR

পার্ট স্টক: 112273

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 90V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 200mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 490mV @ 200mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RFN3BGE6STL

পার্ট স্টক: 73

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.55V @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 30ns,

RFN10NS6SFHTL

পার্ট স্টক: 116

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.55V @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 50ns,

RRE02VTM4SFHTR

পার্ট স্টক: 156

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 200mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.1V @ 200mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

RFN20NS6STL

পার্ট স্টক: 77828

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.55V @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 60ns,

RB400VAM-50TR

পার্ট স্টক: 89

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 500mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 500mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RB521AS-40T2R

পার্ট স্টক: 87

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 200mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 450mV @ 100mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RFN5BGE3STL

পার্ট স্টক: 69

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 350V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 30ns,

RFUH10NS6SFHTL

পার্ট স্টক: 94

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.8V @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 25ns,

RB521AS-30T2R

পার্ট স্টক: 138461

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 200mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 500mV @ 200mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

RSX101VYM30FHTR

পার্ট স্টক: 120

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 470mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 9.6ns,

RSX071VAM30TR

পার্ট স্টক: 114

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 700mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 420mV @ 700mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 9.6ns,

RFN10NS6STL

পার্ট স্টক: 96545

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.55V @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 50ns,

RFUH10NS4SFHTL

পার্ট স্টক: 156

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 430V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 25ns,

RB168VAM100TR

পার্ট স্টক: 137

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 840mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

SCS215AJHRTLL

পার্ট স্টক: 209

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 15A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.55V @ 15A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

SCS208AJTLL

পার্ট স্টক: 34021

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 8A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.55V @ 8A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

SCS206AJTLL

পার্ট স্টক: 42503

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 6A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.55V @ 6A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

SCS220AJTLL

পার্ট স্টক: 15503

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.55V @ 20A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

SCS220AJHRTLL

পার্ট স্টক: 216

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 20A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.55V @ 20A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

SCS206AJHRTLL

পার্ট স্টক: 146

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 6A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.55V @ 6A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

SCS212AJHRTLL

পার্ট স্টক: 194

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 12A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.55V @ 12A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

SCS215AJTLL

পার্ট স্টক: 21343

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.55V @ 15A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

SCS208AJHRTLL

পার্ট স্টক: 167

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 8A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.55V @ 8A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

RBE05VM20ATE-17

পার্ট স্টক: 144872

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 500mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 430mV @ 500mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

SCS208AGC

পার্ট স্টক: 16138

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 8A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.55V @ 8A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

SCS304AHGC9

পার্ট স্টক: 184

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 4A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.5V @ 4A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

SCS206AGC

পার্ট স্টক: 19713

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 6A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.55V @ 6A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

SCS210AGC

পার্ট স্টক: 13817

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.55V @ 10A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

SCS110AGC

পার্ট স্টক: 9974

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 10A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

RFN30TS6SGC11

পার্ট স্টক: 18310

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.55V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 60ns,

RFN5B3STL

পার্ট স্টক: 2525

RB085B-40GTL

পার্ট স্টক: 2531

RFN3B2STL

পার্ট স্টক: 2469

RB051MS-2YTR

পার্ট স্টক: 2463