Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - একক

  • বাড়ি
  •  
  • ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - একক
2SA1774EBTLQ
Rohm Semiconductor

2SA1774EBTLQ

পার্ট স্টক: 138240

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

ইচ্ছেতালিকা
2SD2351T106V
Rohm Semiconductor

2SD2351T106V

পার্ট স্টক: 134434

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 300nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 820 @ 1mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
2SD1484KT146Q
Rohm Semiconductor

2SD1484KT146Q

পার্ট স্টক: 163479

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 15mA, 150mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 500nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 10mA, 3V,

ইচ্ছেতালিকা
2SC3837KT146P
Rohm Semiconductor

2SC3837KT146P

পার্ট স্টক: 142584

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 4mA, 20mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 500nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 82 @ 10mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
2SD1782KT146Q
Rohm Semiconductor

2SD1782KT146Q

পার্ট স্টক: 128110

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 50mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 500nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 100mA, 3V,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5876T106Q
Rohm Semiconductor

2SC5876T106Q

পার্ট স্টক: 106087

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 10mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 50mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
2SD2142KT146
Rohm Semiconductor

2SD2142KT146

পার্ট স্টক: 190030

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN - Darlington, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 300mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1.5V @ 100µA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 10000 @ 100mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
2SD1733TLQ
Rohm Semiconductor

2SD1733TLQ

পার্ট স্টক: 166038

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 20mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 500mA, 3V,

ইচ্ছেতালিকা
2SD2096T114E
Rohm Semiconductor

2SD2096T114E

পার্ট স্টক: 5306

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 3A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 200mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 500mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5103TLQ
Rohm Semiconductor

2SC5103TLQ

পার্ট স্টক: 174983

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 200mA, 4A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1A, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
2SB1181TLQ
Rohm Semiconductor

2SB1181TLQ

পার্ট স্টক: 165094

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 50mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 100mA, 3V,

ইচ্ছেতালিকা
2SB1182TLQ
Rohm Semiconductor

2SB1182TLQ

পার্ট স্টক: 141974

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 32V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 800mV @ 200mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 500mA, 3V,

ইচ্ছেতালিকা
2SA1834TLR
Rohm Semiconductor

2SA1834TLR

পার্ট স্টক: 135227

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 10A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 250mV @ 50mA, 4A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 180 @ 500mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
2SCR522MT2L
Rohm Semiconductor

2SCR522MT2L

পার্ট স্টক: 170078

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 200mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 10mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
2SAR523MT2L
Rohm Semiconductor

2SAR523MT2L

পার্ট স্টক: 164360

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

ইচ্ছেতালিকা
2SCR523MT2L
Rohm Semiconductor

2SCR523MT2L

পার্ট স্টক: 180372

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

ইচ্ছেতালিকা
2SA2029T2LQ
Rohm Semiconductor

2SA2029T2LQ

পার্ট স্টক: 194097

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

ইচ্ছেতালিকা
2SD1758TLR
Rohm Semiconductor

2SD1758TLR

পার্ট স্টক: 133782

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 32V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 800mV @ 200mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 180 @ 500mA, 3V,

ইচ্ছেতালিকা
2SA1812T100Q
Rohm Semiconductor

2SA1812T100Q

পার্ট স্টক: 5202

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 400V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 10mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 50mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
2SC1740STPQ
Rohm Semiconductor

2SC1740STPQ

পার্ট স্টক: 5224

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

ইচ্ছেতালিকা
2SD2396K
Rohm Semiconductor

2SD2396K

পার্ট স্টক: 5175

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 3A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 800mV @ 50mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 1000 @ 500mA, 4V,

ইচ্ছেতালিকা
2SD2167T100P
Rohm Semiconductor

2SD2167T100P

পার্ট স্টক: 5142

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 31V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 1V @ 200mA, 2A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 82 @ 500mA, 3V,

ইচ্ছেতালিকা
2SC4620TV2P
Rohm Semiconductor

2SC4620TV2P

পার্ট স্টক: 5168

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 400V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 1mA, 10mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 10µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 82 @ 10mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5731T100R
Rohm Semiconductor

2SC5731T100R

পার্ট স্টক: 6524

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V,

ইচ্ছেতালিকা
2N3904T93
Rohm Semiconductor

2N3904T93

পার্ট স্টক: 5099

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 200mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 40V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 50nA, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 100 @ 10mA, 1V,

ইচ্ছেতালিকা
2SC4081T106Q
Rohm Semiconductor

2SC4081T106Q

পার্ট স্টক: 146549

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

ইচ্ছেতালিকা
2SC2412KT146Q
Rohm Semiconductor

2SC2412KT146Q

পার্ট স্টক: 160815

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

ইচ্ছেতালিকা
2SB1694T106
Rohm Semiconductor

2SB1694T106

পার্ট স্টক: 181482

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 380mV @ 25mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 270 @ 100mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
2SCR544PT100
Rohm Semiconductor

2SCR544PT100

পার্ট স্টক: 164587

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2.5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 50mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 100mA, 3V,

ইচ্ছেতালিকা
2SA2094TLQ
Rohm Semiconductor

2SA2094TLQ

পার্ট স্টক: 156308

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 100mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 100mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5866TLR
Rohm Semiconductor

2SC5866TLR

পার্ট স্টক: 181302

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 2A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 100mA, 1A, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 100mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
2SCR554PT100
Rohm Semiconductor

2SCR554PT100

পার্ট স্টক: 125519

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1.5A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 25mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 100mA, 3V,

ইচ্ছেতালিকা
2SC5868TLR
Rohm Semiconductor

2SC5868TLR

পার্ট স্টক: 124266

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 500mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 60V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 300mV @ 10mA, 100mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 180 @ 50mA, 2V,

ইচ্ছেতালিকা
2SD1898T100R
Rohm Semiconductor

2SD1898T100R

পার্ট স্টক: 168859

ট্রানজিস্টর প্রকার: NPN, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 1A, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 80V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 400mV @ 20mA, 500mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 1µA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 180 @ 500mA, 3V,

ইচ্ছেতালিকা
2SA1037AKT146R
Rohm Semiconductor

2SA1037AKT146R

পার্ট স্টক: 124683

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 180 @ 1mA, 6V,

ইচ্ছেতালিকা
2SA1576AT106Q
Rohm Semiconductor

2SA1576AT106Q

পার্ট স্টক: 187444

ট্রানজিস্টর প্রকার: PNP, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 150mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, ভেস স্যাচুরেশন (সর্বাধিক) @ আইবি, আইসি: 500mV @ 5mA, 50mA, বর্তমান - সংগ্রাহক কাটঅফ (সর্বোচ্চ): 100nA (ICBO), ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 6V,

ইচ্ছেতালিকা