ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - একক | বিবিধ অর্ধপরিবাহী পণ্য | 62

STW30N20

পার্ট স্টক: 8747

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 30A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 75 mOhm @ 15A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STP75NF68

পার্ট স্টক: 8737

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 68V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 80A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 14 mOhm @ 40A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STB141NF55-1

পার্ট স্টক: 8751

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 55V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 80A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 8 mOhm @ 40A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STD22NM20NT4

পার্ট স্টক: 8734

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 22A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 105 mOhm @ 11A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STP6N120K3

পার্ট স্টক: 11406

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.4 Ohm @ 2.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STF30NM60N

পার্ট স্টক: 8739

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 25A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 130 mOhm @ 12.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STB5NK50ZT4

পার্ট স্টক: 8728

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 500V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.4A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.5 Ohm @ 2.2A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STI15NM60ND

পার্ট স্টক: 8787

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 14A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 299 mOhm @ 7A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STD12NF06-1

পার্ট স্টক: 8696

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 12A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 100 mOhm @ 6A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STI360N4F6

পার্ট স্টক: 12820

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 120A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.8 mOhm @ 60A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STB18NM60N

পার্ট স্টক: 5903

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 13A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 285 mOhm @ 6.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STL6NM60N

পার্ট স্টক: 8790

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.75A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 920 mOhm @ 2.3A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STF21NM60N

পার্ট স্টক: 8739

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 17A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 220 mOhm @ 8.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STP7N52DK3

পার্ট স্টক: 8795

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 525V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.15 Ohm @ 3A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STP21NM60N

পার্ট স্টক: 8728

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 17A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 220 mOhm @ 8.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STD3PK50Z

পার্ট স্টক: 86544

FET প্রকার: P-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 500V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.8A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4 Ohm @ 1.4A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STI15NM60N

পার্ট স্টক: 8780

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 14A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 299 mOhm @ 7A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STD10NM50N

পার্ট স্টক: 8828

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 500V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 630 mOhm @ 3.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STD6NM60N-1

পার্ট স্টক: 8786

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.6A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 920 mOhm @ 2.3A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STW15N95K5

পার্ট স্টক: 8762

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 950V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 12A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 500 mOhm @ 6A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STP8NM60D

পার্ট স্টক: 8768

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1 Ohm @ 2.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STD30NE06LT4

পার্ট স্টক: 8721

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 30A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 28 mOhm @ 15A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STI25NM60ND

পার্ট স্টক: 8798

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 21A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 160 mOhm @ 10.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STD15NF10T4

পার্ট স্টক: 122553

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 23A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 65 mOhm @ 12A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STB23NM60ND

পার্ট স্টক: 18146

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 19.5A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 180 mOhm @ 10A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STB160NF3LLT4

পার্ট স্টক: 8671

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 160A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 4.5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3.3 mOhm @ 80A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STD2NK70Z-1

পার্ট স্টক: 8821

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 700V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.6A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 7 Ohm @ 800mA, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STP16NS25

পার্ট স্টক: 8728

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 250V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 16A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 280 mOhm @ 8A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STP60N3LH5

পার্ট স্টক: 8834

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 48A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 8.4 mOhm @ 24A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STW24NM65N

পার্ট স্টক: 8791

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 650V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 19A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 190 mOhm @ 9.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STB21NM60N

পার্ট স্টক: 5868

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 17A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 220 mOhm @ 8.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STW29NK50Z

পার্ট স্টক: 8658

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 500V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 31A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 130 mOhm @ 15.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STD3NM60-1

পার্ট স্টক: 8786

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 600V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.5 Ohm @ 1.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STP6N52K3

পার্ট স্টক: 8779

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 525V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.2 Ohm @ 2.5A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STY130NF20D

পার্ট স্টক: 4879

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 130A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 12 mOhm @ 65A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা

STMicroelectronics

STD90N03L-1

পার্ট স্টক: 8714

FET প্রকার: N-Channel, প্রযুক্তি: MOSFET (Metal Oxide), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 80A (Tc), ড্রাইভ ভোল্টেজ (সর্বাধিক আরডিএস চালু, কমপক্ষে আরডিএস): 5V, 10V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5.7 mOhm @ 40A, 10V,

ইচ্ছেতালিকা