Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ডায়োডস - রেকটিফায়ার - অ্যারে

  • বাড়ি
  •  
  • ডায়োডস - রেকটিফায়ার - অ্যারে
MBR4035PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR4035PT C0G

পার্ট স্টক: 153

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 40A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 800mV @ 40A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR2090PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR2090PTHC0G

পার্ট স্টক: 150

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 90V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 920mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR4060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR4060PT C0G

পার্ট স্টক: 202

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 40A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
HER3004PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER3004PT C0G

পার্ট স্টক: 111

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 300V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR3030PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3030PTHC0G

পার্ট স্টক: 129

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR3030PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3030PT C0G

পার্ট স্টক: 178

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR6035PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR6035PTHC0G

পার্ট স্টক: 103

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 35V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 60A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 820mV @ 60A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR2050PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR2050PTHC0G

পার্ট স্টক: 99

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR6090PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR6090PTHC0G

পার্ট স্টক: 180

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 90V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 60A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 980mV @ 60A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR3050PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3050PTHC0G

পার্ট স্টক: 126

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR2090 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR2090 C0G

পার্ট স্টক: 102

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 90V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 900mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR30150PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR30150PTHC0G

পার্ট স্টক: 97

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR2030HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR2030HC0G

পার্ট স্টক: 171

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR3020PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3020PTHC0G

পার্ট স্টক: 139

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR4090PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR4090PTHC0G

পার্ট স্টক: 122

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 90V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 40A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR4090PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR4090PT C0G

পার্ট স্টক: 136

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 90V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 40A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR30100PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30100PTHC0G

পার্ট স্টক: 141

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
HER3006PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER3006PT C0G

পার্ট স্টক: 173

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR2030PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR2030PTHC0G

পার্ট স্টক: 164

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR2050PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR2050PT C0G

পার্ট স্টক: 179

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
HER3001PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER3001PT C0G

পার্ট স্টক: 107

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR2050HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR2050HC0G

পার্ট স্টক: 97

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR2030PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR2030PT C0G

পার্ট স্টক: 127

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR2020 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR2020 C0G

পার্ট স্টক: 159

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR4060PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR4060PTHC0G

পার্ট স্টক: 147

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 40A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR3090PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3090PTHC0G

পার্ট স্টক: 190

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 90V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR2020HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR2020HC0G

পার্ট স্টক: 164

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 20V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR3060PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3060PTHC0G

পার্ট স্টক: 119

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR2060HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR2060HC0G

পার্ট স্টক: 116

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR30150PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR30150PT C0G

পার্ট স্টক: 150

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR2050 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR2050 C0G

পার্ট স্টক: 126

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 50V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UG6005PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG6005PTHC0G

পার্ট স্টক: 149

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 300V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 60A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.25V @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
MBR3045PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3045PTHC0G

পার্ট স্টক: 155

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 820mV @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
SR2090PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR2090PT C0G

পার্ট স্টক: 168

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 90V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 920mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
HER3002PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER3002PT C0G

পার্ট স্টক: 195

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 30A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1V @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
UGF10L08GA C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF10L08GA C0G

পার্ট স্টক: 137

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Anode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা