ডায়োডস - রেকটিফায়ার - অ্যারে

TST20H300CW C0G

পার্ট স্টক: 2759

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 300V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 980mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSI30H200CW C0G

পার্ট স্টক: 5331

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 920mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSI20H200CW C0G

পার্ট স্টক: 4765

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 770mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

UG1008GHC0G

পার্ট স্টক: 5290

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 600V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSF40H100C C0G

পার্ট স্টক: 4949

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 560mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSF30L150C C0G

পার্ট স্টক: 2942

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 920mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSF20L120C C0G

পার্ট স্টক: 4337

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 120V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 920mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR20100CT C0G

পার্ট স্টক: 3985

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSF30U45C C0G

পার্ট স্টক: 5315

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 500mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSF30L200C C0G

পার্ট স্টক: 5266

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 960mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBR20H150CT C0G

পার্ট স্টক: 4593

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 970mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSI20H120CW C0G

পার্ট স্টক: 5331

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 120V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 620mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSF40U100C C0G

পার্ট স্টক: 5056

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 610mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSD10L200CW MNG

পার্ট স্টক: 4247

TSI30H150CW C0G

পার্ট স্টক: 5060

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 900mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSI10H120CW C0G

পার্ট স্টক: 5041

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 120V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 790mV @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSF20H100C C0G

পার্ট স্টক: 4302

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 810mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSI20H150CW C0G

পার্ট স্টক: 4361

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 720mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSF10U60C C0G

পার্ট স্টক: 5120

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 420mV @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TST30L45C C0G

পার্ট স্টক: 5317

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 670mV @ 30A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBRF20100CT C0G

পার্ট স্টক: 4902

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 950mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSF30H150C C0G

পার্ট স্টক: 4400

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 900mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSF30H120C C0G

পার্ট স্টক: 4371

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 120V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 880mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

HERF1605G C0G

পার্ট স্টক: 4856

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 400V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 16A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.3V @ 8A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSF30H60C C0G

পার্ট স্টক: 4370

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

MBRF10150CT C0G

পার্ট স্টক: 5260

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 150V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 900mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSF40L45C C0G

পার্ট স্টক: 5145

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 45V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 20A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 20A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSI10H100CW C0G

পার্ট স্টক: 4386

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 690mV @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSF30L100C C0G

পার্ট স্টক: 4373

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 800mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSD20H100CW MNG

পার্ট স্টক: 6975

TSF20L100C C0G

পার্ট স্টক: 8635

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 860mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSD20H200CW MNG

পার্ট স্টক: 6968

TSF20U100C C0G

পার্ট স্টক: 12944

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 790mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSF30H100C C0G

পার্ট স্টক: 4352

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 100V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 15A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 820mV @ 15A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSF20L60C C0G

পার্ট স্টক: 4346

ডায়োড কনফিগারেশন: 1 Pair Common Cathode, ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 60V, বর্তমান - গড় রেকটিফায়েড (আইও) (প্রতি ডায়োড): 10A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 660mV @ 10A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

TSD30H120CW MNG

পার্ট স্টক: 6930