Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - অ্যারে, প্রি-বায

  • বাড়ি
  •  
  • ট্রানজিস্টর - বাইপোলার (বিজেটি) - অ্যারে, প্রি-বায
RN4908(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4908(T5L,F,T)

পার্ট স্টক: 1464

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN2510(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2510(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 165485

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN2963FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2963FE(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 1465

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 22 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN1971TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1971TE85LF

পার্ট স্টক: 155643

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN2702TE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2702TE85LF

পার্ট স্টক: 1499

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN1970(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1970(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 141176

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN4904,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4904,LF

পার্ট স্টক: 127121

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN2904FE,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2904FE,LF

পার্ট স্টক: 157116

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN2969FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2969FE(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 1479

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN1902T5LFT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1902T5LFT

পার্ট স্টক: 1369

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN2906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2906(T5L,F,T)

পার্ট স্টক: 1511

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN49A1(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN49A1(T5L,F,T)

পার্ট স্টক: 1486

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN1911(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1911(T5L,F,T)

পার্ট স্টক: 1493

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN4909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4909(T5L,F,T)

পার্ট স্টক: 1458

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN1673(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1673(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 1534

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN1606(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1606(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 9937

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN4611(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4611(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 141210

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN2909(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2909(T5L,F,T)

পার্ট স্টক: 3152

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN1704JE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1704JE(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 146002

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN1966FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1966FE(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 140649

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN4605(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4605(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 128492

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN1907,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1907,LF

পার্ট স্টক: 1491

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN4991(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4991(T5L,F,T)

পার্ট স্টক: 171762

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN1906(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1906(T5L,F,T)

পার্ট স্টক: 1452

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN2967FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2967FE(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 1533

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN4981,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4981,LF(CT

পার্ট স্টক: 159039

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 4.7 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 30 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN2904(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2904(T5L,F,T)

পার্ট স্টক: 3155

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN2970FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2970FE(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 1533

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN1904FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1904FE,LF(CT

পার্ট স্টক: 146960

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 NPN - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN2506(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2506(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 140285

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 4.7 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN2909FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2909FE(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 142836

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 22 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 70 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN2904,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2904,LF

পার্ট স্টক: 1534

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 47 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN2971FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2971FE(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 1487

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 120 @ 1mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN2902FE,LF(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

RN2902FE,LF(CT

পার্ট স্টক: 175632

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 10 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 50 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN4907(T5L,F,T)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN4907(T5L,F,T)

পার্ট স্টক: 1537

ট্রানজিস্টর প্রকার: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 10 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা
RN1965FE(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

RN1965FE(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 1382

ট্রানজিস্টর প্রকার: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 100mA, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 50V, প্রতিরোধক - বেস (আর 1): 2.2 kOhms, প্রতিরোধক - ইমিটার বেস (আর 2): 47 kOhms, ডিসি কারেন্ট লাভ (এইচএফই) (ন্যূনতম) @ আইসি, ভেসে: 80 @ 10mA, 5V,

ইচ্ছেতালিকা