Menu
বাংলা ভাষারবাংলা ভাষার
RFQs / আদেশ
0RFQs / আদেশ

ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক

  • বাড়ি
  •  
  • ডায়োডস - রেকটিফায়ার - একক
CUS05S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S30,H3F

পার্ট স্টক: 141424

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 500mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 340mV @ 100mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
CUS10S30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S30,H3F

পার্ট স্টক: 175222

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 230mV @ 100mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
JDH2S02SL,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

JDH2S02SL,L3F

পার্ট স্টক: 21594

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 10V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 10mA (DC), দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ইচ্ছেতালিকা
CTS520,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS520,L3F

পার্ট স্টক: 122854

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 200mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 200mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
CCS15S40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CCS15S40,L3F

পার্ট স্টক: 159042

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 1.5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
CUS10S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10S40,H3F

পার্ট স্টক: 172576

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 400mV @ 500mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
CMF05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMF05(TE12L,Q,M)

পার্ট স্টক: 158502

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 1000V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 500mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 2.7V @ 500mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 100ns,

ইচ্ছেতালিকা
CTS05S30,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05S30,L3F

পার্ট স্টক: 114342

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 500mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 340mV @ 100mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
CES388,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CES388,L3F

পার্ট স্টক: 155708

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 100mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 600mV @ 100mA, দ্রুততা: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

ইচ্ছেতালিকা
CMS11(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS11(TE12L,Q,M)

পার্ট স্টক: 159752

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 550mV @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
CUS05S40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05S40,H3F

পার্ট স্টক: 139868

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 500mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 350mV @ 100mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
TRS6E65C,S1AQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TRS6E65C,S1AQ

পার্ট স্টক: 11358

ডায়োড প্রকার: Silicon Carbide Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 650V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 6A (DC), ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 1.7V @ 6A, দ্রুততা: No Recovery Time > 500mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 0ns,

ইচ্ছেতালিকা
CMS03(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS03(TE12L,Q,M)

পার্ট স্টক: 144392

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 3A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 450mV @ 3A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
CMS06(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS06(TE12L,Q,M)

পার্ট স্টক: 184133

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 2A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 370mV @ 2A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
CRS09(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS09(TE85L,Q,M)

পার্ট স্টক: 139204

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 460mV @ 1.5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
CRH01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRH01(TE85L,Q,M)

পার্ট স্টক: 121678

ডায়োড প্রকার: Standard, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 200V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 980mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), বিপরীতে পুনরুদ্ধার সময় (টিআরআর): 35ns,

ইচ্ছেতালিকা
CRS08(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS08(TE85L,Q,M)

পার্ট স্টক: 183971

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1.5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 360mV @ 1.5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
CRS01(TE85L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CRS01(TE85L,Q,M)

পার্ট স্টক: 104302

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 360mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
CMS04(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS04(TE12L,Q,M)

পার্ট স্টক: 164330

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 370mV @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
CMS05(TE12L,Q,M)
Toshiba Semiconductor and Storage

CMS05(TE12L,Q,M)

পার্ট স্টক: 112076

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 5A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 450mV @ 5A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
CUS08F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS08F30,H3F

পার্ট স্টক: 193256

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 800mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 220mV @ 10mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
CBS10F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CBS10F40,L3F

পার্ট স্টক: 8420

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 700mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
CUS10F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS10F40,H3F

পার্ট স্টক: 4875

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 1A, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 670mV @ 1A, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
CUS520,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS520,H3F

পার্ট স্টক: 181235

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 200mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 280mV @ 10mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
CUS05F40,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F40,H3F

পার্ট স্টক: 4923

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 500mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 810mV @ 500mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
CUS05F30,H3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CUS05F30,H3F

পার্ট স্টক: 151245

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 30V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 500mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 450mV @ 500mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা
CTS05F40,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

CTS05F40,L3F

পার্ট স্টক: 8357

ডায়োড প্রকার: Schottky, ভোল্টেজ - ডিসি বিপরীত (ভিআর) (সর্বাধিক): 40V, বর্তমান - গড় সংশোধিত (আইও): 500mA, ভোল্টেজ - ফরোয়ার্ড (ভিএফ) (সর্বোচ্চ) @ যদি If: 810mV @ 500mA, দ্রুততা: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

ইচ্ছেতালিকা