ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 19.2dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.99GHz, লাভ করা: 14dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.99GHz, লাভ করা: 20dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.99GHz, লাভ করা: 18dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.11GHz ~ 2.17GHz, লাভ করা: 13dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 3.4GHz ~ 3.6GHz, লাভ করা: 14dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: pHEMT FET, ফ্রিকোয়েন্সি: 3.55GHz, লাভ করা: 11.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 12V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.99GHz, লাভ করা: 15dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.66GHz, লাভ করা: 15.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.17GHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 945MHz, লাভ করা: 20dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 470MHz, লাভ করা: 11.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 12.5V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 225MHz, লাভ করা: 24dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 20.8dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 220MHz, লাভ করা: 25dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.09GHz, লাভ করা: 21dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 1.99GHz, লাভ করা: 20dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: pHEMT FET, ফ্রিকোয়েন্সি: 3.55GHz, লাভ করা: 10dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 12V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.88GHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 945MHz, লাভ করা: 18.8dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.99GHz, লাভ করা: 13dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel JFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 100MHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 10V, বর্তমান রেরতিং: 60mA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel JFET, বর্তমান রেরতিং: 15mA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel JFET, লাভ করা: 12dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 10V, বর্তমান রেরতিং: 60mA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 920MHz ~ 960MHz, লাভ করা: 18dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.14GHz, লাভ করা: 15.8dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 945MHz, লাভ করা: 15dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 7A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2GHz, লাভ করা: 11dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 13.6V, বর্তমান রেরতিং: 7A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.69GHz, লাভ করা: 15dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: E-pHEMT, ফ্রিকোয়েন্সি: 12GHz, লাভ করা: 11dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 2V, বর্তমান রেরতিং: 50mA, শব্দ শব্দ: 1dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HEMT, ফ্রিকোয়েন্সি: 3.5GHz, লাভ করা: 13dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V, বর্তমান রেরতিং: 6mA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HEMT, ফ্রিকোয়েন্সি: 3.5GHz, লাভ করা: 17dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V, বর্তমান রেরতিং: 500mA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: pHEMT FET, ফ্রিকোয়েন্সি: 12GHz, লাভ করা: 13.7dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 2V, বর্তমান রেরতিং: 15mA, শব্দ শব্দ: 0.5dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 2GHz, লাভ করা: 14dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 2V, বর্তমান রেরতিং: 120mA, শব্দ শব্দ: 0.45dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 2GHz, লাভ করা: 17.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 2V, বর্তমান রেরতিং: 60mA, শব্দ শব্দ: 0.4dB,
