ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 220MHz, লাভ করা: 25.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.17GHz, লাভ করা: 17.3dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: pHEMT FET, ফ্রিকোয়েন্সি: 3.55GHz, লাভ করা: 10dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 12V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 20.8dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.93GHz ~ 1.99GHz, লাভ করা: 14.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.93GHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.4GHz, লাভ করা: 18dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.96GHz, লাভ করা: 13dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.16GHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 3.1GHz ~ 3.5GHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 32V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: pHEMT FET, ফ্রিকোয়েন্সি: 3.55GHz, লাভ করা: 10dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 6V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 960MHz, লাভ করা: 18dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 20.9dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 220MHz, লাভ করা: 23.9dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.3GHz, লাভ করা: 22.7dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 130MHz, লাভ করা: 26dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.12GHz, লাভ করা: 15.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 945MHz, লাভ করা: 14.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 5A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 870MHz, লাভ করা: 16.3dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 7.5V, বর্তমান রেরতিং: 8A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel, ফ্রিকোয়েন্সি: 175MHz, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V, বর্তমান রেরতিং: 40A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel JFET, বর্তমান রেরতিং: 40mA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel JFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 100MHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 10V, বর্তমান রেরতিং: 60mA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel JFET, লাভ করা: 12dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 10V, বর্তমান রেরতিং: 60mA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 960MHz, লাভ করা: 18.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.99GHz, লাভ করা: 15.9dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 760MHz, লাভ করা: 19.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.99GHz, লাভ করা: 18dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.48GHz, লাভ করা: 14dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel, ফ্রিকোয়েন্সি: 175MHz, লাভ করা: 14dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V, বর্তমান রেরতিং: 50µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 12GHz, লাভ করা: 12dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 2V, বর্তমান রেরতিং: 70mA, শব্দ শব্দ: 0.45dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 4GHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 2V, বর্তমান রেরতিং: 97mA, শব্দ শব্দ: 0.45dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HEMT, ফ্রিকোয়েন্সি: 960MHz ~ 1.22GHz, লাভ করা: 19.8dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V, বর্তমান রেরতিং: 27.3A,
