ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.17GHz, লাভ করা: 18dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.99GHz, লাভ করা: 18dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.99GHz, লাভ করা: 19dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.5GHz, লাভ করা: 16.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 894MHz, লাভ করা: 18dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 960MHz, লাভ করা: 18.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.14GHz, লাভ করা: 16.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.88GHz, লাভ করা: 16.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 1µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 465MHz, লাভ করা: 21dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 857MHz ~ 863MHz, লাভ করা: 20.4dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 32V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.81GHz ~ 1.88GHz, লাভ করা: 14dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 3.4GHz ~ 3.6GHz, লাভ করা: 14dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 16.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.93GHz ~ 1.99GHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 21.2dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.11GHz ~ 2.17GHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.62GHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 860MHz, লাভ করা: 18.2dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 32V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.17GHz, লাভ করা: 17.3dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 1.81GHz, লাভ করা: 17.9dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 30V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.93GHz ~ 1.99GHz, লাভ করা: 13dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: pHEMT FET, ফ্রিকোয়েন্সি: 3.55GHz, লাভ করা: 10dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 12V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.16GHz ~ 2.17GHz, লাভ করা: 15dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 2.03GHz, লাভ করা: 18.2dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 32V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 945MHz, লাভ করা: 17dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.81GHz, লাভ করা: 18.2dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.11GHz ~ 2.17GHz, লাভ করা: 15.9dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HEMT, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.7GHz ~ 3.1GHz, লাভ করা: 11.2dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V, বর্তমান রেরতিং: 1.5A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HEMT, ফ্রিকোয়েন্সি: 30MHz ~ 3.5GHz, লাভ করা: 17.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HEMT, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.5GHz, লাভ করা: 12dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 3A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HEMT, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.2GHz ~ 1.4GHz, লাভ করা: 17.6dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V, বর্তমান রেরতিং: 9A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 960MHz, লাভ করা: 15dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 250mA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 500MHz, লাভ করা: 11.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 7.5V, বর্তমান রেরতিং: 5A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel, ফ্রিকোয়েন্সি: 400MHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 900mA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 900MHz, লাভ করা: 15dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 7.5V, বর্তমান রেরতিং: 3A,
