ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.12GHz, লাভ করা: 15.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 1.99GHz, লাভ করা: 20dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.81GHz ~ 1.88GHz, লাভ করা: 15dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.96GHz, লাভ করা: 13dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 26V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.39GHz, লাভ করা: 15.2dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.17GHz, লাভ করা: 18dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 880MHz, লাভ করা: 19.7dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 220MHz, লাভ করা: 25.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.88GHz,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.11GHz ~ 2.17GHz, লাভ করা: 15.9dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 945MHz, লাভ করা: 18.8dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 860MHz, লাভ করা: 22dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.17GHz, লাভ করা: 15dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.93GHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 465MHz, লাভ করা: 21dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.11GHz ~ 2.17GHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel, ফ্রিকোয়েন্সি: 900MHz, লাভ করা: 23.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 7.5V, বর্তমান রেরতিং: 600mA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 900MHz, লাভ করা: 22dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 7.5V, বর্তমান রেরতিং: 2.1A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.9GHz, লাভ করা: 10dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 3.5V, বর্তমান রেরতিং: 2.8A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: HFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 4GHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 2V, বর্তমান রেরতিং: 97mA, শব্দ শব্দ: 0.45dB,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 2.14GHz, লাভ করা: 13.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 250mA, 1A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 500MHz, লাভ করা: 17dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 12.5V, বর্তমান রেরতিং: 4A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 800MHz, লাভ করা: 16dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 32V, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.88GHz, লাভ করা: 16.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 1µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS (Dual), ফ্রিকোয়েন্সি: 2.2GHz, লাভ করা: 21dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 1.99GHz, লাভ করা: 16.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 28V, বর্তমান রেরতিং: 1µA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: LDMOS, ফ্রিকোয়েন্সি: 500MHz ~ 1.4GHz, লাভ করা: 15.8dB, বর্তমান রেরতিং: 10µA,
ফ্রিকোয়েন্সি: 2.7GHz ~ 2.9GHz, লাভ করা: 11.5dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 50V, বর্তমান রেরতিং: 10A,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel JFET, বর্তমান রেরতিং: 20mA,
ট্রানজিস্টর প্রকার: N-Channel JFET, ফ্রিকোয়েন্সি: 450MHz, লাভ করা: 12dB, ভোল্টেজ - পরীক্ষা: 10V, বর্তমান রেরতিং: 30mA, শব্দ শব্দ: 3dB,
