ট্রানজিস্টর - জেএফইটি

MMBFJ112

পার্ট স্টক: 141208

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 35V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 5mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1V @ 1µA,

MCH5908H-TL-E

পার্ট স্টক: 126236

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 16mA @ 5V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 50mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 300mV @ 100µA,

J174_D74Z

পার্ট স্টক: 3375

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 20mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 5V @ 10nA,

MMBFJ201_G

পার্ট স্টক: 3473

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 200µA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 300mV @ 10nA,

J106_D26Z

পার্ট স্টক: 3415

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 200mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2V @ 1µA,

MMBFJ108

পার্ট স্টক: 124175

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 80mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 3V @ 10nA,

PN5434

পার্ট স্টক: 3380

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 30mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1V @ 3nA,

MMBF4392LT1

পার্ট স্টক: 3353

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 25mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2V @ 10nA,

TF256-5-TL-H

পার্ট স্টক: 3456

FET প্রকার: N-Channel, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 240µA @ 2V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 1mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 100mV @ 1µA,

J177_D75Z

পার্ট স্টক: 3354

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 1.5mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 800mV @ 10nA,

TF256TH-3-TL-H

পার্ট স্টক: 3435

FET প্রকার: N-Channel, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 100µA @ 2V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 1mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 100mV @ 1µA,

PN4117A

পার্ট স্টক: 3416

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 30µA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 1nA,

TF252TH-4A-TL-H

পার্ট স্টক: 3473

FET প্রকার: N-Channel, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 140µA @ 2V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 1mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 100mV @ 1µA,

KSK596BU

পার্ট স্টক: 3374

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 20V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 100µA @ 5V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 1mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 1µA,

P1087_D74Z

পার্ট স্টক: 3404

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 5mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 5V @ 1µA,

PN4391_D26Z

পার্ট স্টক: 3517

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 50mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 4V @ 1nA,

PN4393_D74Z

পার্ট স্টক: 3397

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 5mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 500mV @ 1nA,

PN4393_D75Z

পার্ট স্টক: 3441

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 5mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 500mV @ 1nA,

U1897

পার্ট স্টক: 3362

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 30mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 5V @ 1nA,

PN4303

পার্ট স্টক: 3438

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 4mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 6V @ 1nA,

MMBFJ271

পার্ট স্টক: 182098

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 6mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1.5V @ 1nA,

PN4392

পার্ট স্টক: 3402

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 25mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2V @ 1nA,

PN4117

পার্ট স্টক: 3417

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 30µA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 1nA,

FJN598JBTA

পার্ট স্টক: 3390

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 20V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 100µA @ 5V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 1mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 1µA,

MX2N4860UB

পার্ট স্টক: 3432

MV2N4092

পার্ট স্টক: 3479

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 15mA @ 20V,

JANTX2N4091

পার্ট স্টক: 960

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 30mA @ 20V,

MX2N4859

পার্ট স্টক: 3466

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 175mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 10V @ 500pA,

MV2N4858UB

পার্ট স্টক: 3465

IJW120R070T1FKSA1

পার্ট স্টক: 3414

FET প্রকার: N-Channel, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 1200V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 3.3µA @ 1200V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 35A,

U441-E3

পার্ট স্টক: 3378

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 6mA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1V @ 1nA,

SST4416-T1-E3

পার্ট স্টক: 3392

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 5mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 3V @ 1nA,

SST4416-E3

পার্ট স্টক: 5416

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 5mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 3V @ 1nA,

CMPF4393 TR

পার্ট স্টক: 162549

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 5mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 500mV @ 1nA,

DSK9J01P0L

পার্ট স্টক: 192604

FET প্রকার: N-Channel, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 55V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 1mA @ 10V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 30mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 5V @ 10µA,

SST175-T1-E3

পার্ট স্টক: 3439