ট্রানজিস্টর - জেএফইটি

2SK34260TL

পার্ট স্টক: 100643

FET প্রকার: N-Channel, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 107µA @ 2V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 2mA,

2SK880-Y(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 110749

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 50V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 1.2mA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1.5V @ 100nA,

2N4117A

পার্ট স্টক: 18390

FET প্রকার: N-Channel,

5185_2N4391

পার্ট স্টক: 3455

8885_2N5115

পার্ট স্টক: 3434

BF246B

পার্ট স্টক: 3444

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 60mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 10nA,

BSR57

পার্ট স্টক: 142649

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 20mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2V @ 0.5nA,

BF247A_J35Z

পার্ট স্টক: 3374

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 30mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 100nA,

BF246A_J35Z

পার্ট স্টক: 3399

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 30mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 100nA,

BF246B_J35Z

পার্ট স্টক: 3444

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 60mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 10nA,

BSR58LT1G

পার্ট স্টক: 3366

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 8mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 800mV @ 1µA,

BFR31LT1G

পার্ট স্টক: 3431

FET প্রকার: N-Channel, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 1mA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2.5V @ 0.5nA,

BFR31LT1

পার্ট স্টক: 3382

FET প্রকার: N-Channel, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 1mA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2.5V @ 0.5nA,

BFR30LT1

পার্ট স্টক: 3407

FET প্রকার: N-Channel, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 4mA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 5V @ 0.5nA,

BFR30LT1G

পার্ট স্টক: 3448

FET প্রকার: N-Channel, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 4mA @ 10V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 5V @ 0.5nA,

BF247A

পার্ট স্টক: 224

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 30mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 100nA,

BF246A

পার্ট স্টক: 3378

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 30mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 600mV @ 100nA,

BSR56

পার্ট স্টক: 141206

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 50mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 4V @ 0.5nA,

BSR58

পার্ট স্টক: 100259

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 8mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 800mV @ 0.5nA,

J110

পার্ট স্টক: 3443

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 10mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 500mV @ 1µA,

TF256-3-TL-H

পার্ট স্টক: 3442

FET প্রকার: N-Channel, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 100µA @ 2V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 1mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 100mV @ 1µA,

J176

পার্ট স্টক: 3350

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 2mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1V @ 10nA,

P1086

পার্ট স্টক: 3437

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 10mA @ 20V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 10V @ 1µA,

TIS75_D75Z

পার্ট স্টক: 3417

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 8mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 800mV @ 4nA,

BFR31,235

পার্ট স্টক: 109082

FET প্রকার: N-Channel, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 1mA @ 10V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 10mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2.5V @ 0.5nA,

BFR31,215

পার্ট স্টক: 126893

FET প্রকার: N-Channel, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 1mA @ 10V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 10mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 2.5V @ 0.5nA,

BSR57,215

পার্ট স্টক: 126966

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 20mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 5V @ 0.5nA,

BSR58,215

পার্ট স্টক: 3330

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 8mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 800mV @ 0.5nA,

BSR56,215

পার্ট স্টক: 3328

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 50mA @ 15V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 20mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 4V @ 0.5nA,

BFR30,235

পার্ট স্টক: 193684

FET প্রকার: N-Channel, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 4mA @ 10V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 10mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 5V @ 0.5nA,

BFR30,215

পার্ট স্টক: 169728

FET প্রকার: N-Channel, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 4mA @ 10V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 10mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 5V @ 0.5nA,

BFT46,215

পার্ট স্টক: 107508

FET প্রকার: N-Channel, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 200µA @ 10V, কারেন্ট ড্রেন (আইডি) - সর্বাধিক: 10mA, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1.2V @ 0.5nA,

PMBFJ111,215

পার্ট স্টক: 3326

FET প্রকার: N-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 40V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 20mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 10V @ 1µA,

PMBFJ176,215

পার্ট স্টক: 3444

FET প্রকার: P-Channel, ভোল্টেজ - ব্রেকডাউন (ভি (বিআর) জিএসএস): 30V, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ড্রেন (আইডেস) @ ভিডিএস (ভিজিএস = 0): 2mA @ 15V, ভোল্টেজ - কাটোফ (ভিজিএস বন্ধ) @ আইডি: 1V @ 10nA,

BF246C

পার্ট স্টক: 98657

MV2N4393UB

পার্ট স্টক: 3415