ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে | বিবিধ অর্ধপরিবাহী পণ্য | 100

IRF7317TRPBF

পার্ট স্টক: 158547

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6.6A, 5.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 29 mOhm @ 6A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 700mV @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

IRFHS9351TRPBF

পার্ট স্টক: 112687

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 170 mOhm @ 3.1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.4V @ 10µA,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

IRF7910TRPBF

পার্ট স্টক: 127888

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 15 mOhm @ 8A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Infineon Technologies

IRL6297SDTRPBF

পার্ট স্টক: 142257

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 15A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.9 mOhm @ 15A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.1V @ 35µA,

শুভেচ্ছা

Vishay Siliconix

SQJB40EP-T1_GE3

পার্ট স্টক: 152466

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 30A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 8 mOhm @ 8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Vishay Siliconix

SQJ963EP-T1_GE3

পার্ট স্টক: 91401

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 85 mOhm @ 3.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Vishay Siliconix

SI7972DP-T1-GE3

পার্ট স্টক: 149146

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 18 mOhm @ 11A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.7V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Vishay Siliconix

SQJQ910EL-T1_GE3

পার্ট স্টক: 2597

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 70A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 8.6 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Vishay Siliconix

SI7949DP-T1-E3

পার্ট স্টক: 39374

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 64 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Vishay Siliconix

SQJB00EP-T1_GE3

পার্ট স্টক: 152443

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 30A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 13 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Vishay Siliconix

SI4900DY-T1-E3

পার্ট স্টক: 142035

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Vishay Siliconix

SQJQ980EL-T1_GE3

পার্ট স্টক: 2601

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 80V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 36A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 13.5 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Vishay Siliconix

SIZF906ADT-T1-GE3

পার্ট স্টক: 2533

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 27A (Ta), 60A (Tc), 52A (Ta), 60A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3.8 mOhm @ 15A, 10V, 1.17 mOhm @ 20A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Vishay Siliconix

SI4214DDY-T1-E3

পার্ট স্টক: 188973

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 19.5 mOhm @ 8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Vishay Siliconix

SQJB80EP-T1_GE3

পার্ট স্টক: 152485

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 80V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 30A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 19 mOhm @ 8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Nexperia USA Inc.

PMDXB950UPEZ

পার্ট স্টক: 193079

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 500mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 950mV @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Nexperia USA Inc.

PMDT290UNE,115

পার্ট স্টক: 177961

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 800mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 950mV @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Nexperia USA Inc.

PMDPB70XPE,115

পার্ট স্টক: 137499

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 79 mOhm @ 2A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.25V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Nexperia USA Inc.

NX3008PBKV,115

পার্ট স্টক: 177076

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 220mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Rohm Semiconductor

QS6K21TR

পার্ট স্টক: 129283

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 45V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1A, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

Rohm Semiconductor

EM6M2T2R

পার্ট স্টক: 127455

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 200mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1 Ohm @ 200mA, 4V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8223-H,LQ(S

পার্ট স্টক: 150969

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 17 mOhm @ 4.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.3V @ 100µA,

শুভেচ্ছা

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N44FE,LM

পার্ট স্টক: 105414

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 100mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4 Ohm @ 10mA, 4V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 100µA,

শুভেচ্ছা

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N7002BFE,LM

পার্ট স্টক: 179839

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 200mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.1 Ohm @ 500mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6L39TU,LF

পার্ট স্টক: 111677

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 1.8V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 800mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 143 mOhm @ 600MA, 4V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6N37FU,LF

পার্ট স্টক: 156819

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 1.5V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 250mA (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

ON Semiconductor

NTHD4102PT1G

পার্ট স্টক: 108053

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

ON Semiconductor

FDMB3800N

পার্ট স্টক: 191355

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 40 mOhm @ 4.8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

ON Semiconductor

FDS6890A

পার্ট স্টক: 101115

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 18 mOhm @ 7.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

ON Semiconductor

FDY1002PZ

পার্ট স্টক: 182634

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 830mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 500 mOhm @ 830mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

ON Semiconductor

FDMA1032CZ

পার্ট স্টক: 89328

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.7A, 3.1A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 68 mOhm @ 3.7A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

ON Semiconductor

FDME1034CZT

পার্ট স্টক: 154682

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.8A, 2.6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 66 mOhm @ 3.4A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

ON Semiconductor

FDY3000NZ

পার্ট স্টক: 111326

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 600mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Diodes Incorporated

DMC2400UV-7

পার্ট স্টক: 138188

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.03A, 700mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 480 mOhm @ 200mA, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 900mV @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Diodes Incorporated

DMG1016V-7

পার্ট স্টক: 107374

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 870mA, 640mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 400 mOhm @ 600mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Diodes Incorporated

DMG5802LFX-7

পার্ট স্টক: 173089

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 24V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 15 mOhm @ 6.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা