ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

QS8K13TCR

পার্ট স্টক: 183897

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 28 mOhm @ 6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

SP8K31TB1

পার্ট স্টক: 132551

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 120 mOhm @ 3.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

SH8KA2GZETB

পার্ট স্টক: 158789

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 28 mOhm @ 8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

SH8K5TB1

পার্ট স্টক: 122471

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 83 mOhm @ 3.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

QS8K21TR

পার্ট স্টক: 194558

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 45V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 53 mOhm @ 4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

QS8M12TCR

পার্ট স্টক: 150953

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 42 mOhm @ 4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

SH8M14TB1

পার্ট স্টক: 116026

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9A, 7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 21 mOhm @ 9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

IRF7104TRPBF

পার্ট স্টক: 104561

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 250 mOhm @ 1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

IRF7379TRPBF

পার্ট স্টক: 199093

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.8A, 4.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

IPG20N10S4L22AATMA1

পার্ট স্টক: 108999

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 20A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 22 mOhm @ 17A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 25µA,

শুভেচ্ছা

IRF6802SDTRPBF

পার্ট স্টক: 60962

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 16A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.2 mOhm @ 16A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 35µA,

শুভেচ্ছা

IPG20N06S4L26ATMA1

পার্ট স্টক: 197280

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 20A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 26 mOhm @ 17A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 10µA,

শুভেচ্ছা

IRLHS6376TRPBF

পার্ট স্টক: 115333

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 63 mOhm @ 3.4A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.1V @ 10µA,

শুভেচ্ছা

IRF7902TRPBF

পার্ট স্টক: 168640

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6.4A, 9.7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 22.6 mOhm @ 6.4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.25V @ 25µA,

শুভেচ্ছা

FDS8978

পার্ট স্টক: 143107

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 18 mOhm @ 7.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

NTZD5110NT1G

পার্ট স্টক: 185466

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 294mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDG6322C

পার্ট স্টক: 124499

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 220mA, 410mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4 Ohm @ 220mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

HUFA76413DK8T-F085

পার্ট স্টক: 2586

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.1A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 49 mOhm @ 5.1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

NTJD5121NT1G

পার্ট স্টক: 179833

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 295mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDPC8012S

পার্ট স্টক: 47700

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 13A, 26A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 7 mOhm @ 12A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

MCH6661-TL-W

পার্ট স্টক: 182202

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 4V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 188 mOhm @ 900mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.6V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

Nexperia USA Inc.

PMDPB85UPE,115

পার্ট স্টক: 183418

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 103 mOhm @ 1.3A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 950mV @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Nexperia USA Inc.

PMDT290UNEYL

পার্ট স্টক: 2497

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 800mA (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 950mV @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI4559ADY-T1-E3

পার্ট স্টক: 141967

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.3A, 3.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 58 mOhm @ 4.3A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SQ9945BEY-T1_GE3

পার্ট স্টক: 163985

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 64 mOhm @ 3.4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI7922DN-T1-E3

পার্ট স্টক: 86587

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 195 mOhm @ 2.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Toshiba Semiconductor and Storage

SIA923AEDJ-T1-GE3

পার্ট স্টক: 138927

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 54 mOhm @ 3.8A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 900mV @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SSM6L12TU,LF

পার্ট স্টক: 2495

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 500mA (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 145 mOhm @ 500mA, 4.5V, 260 mOhm @ 250mA, 4V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.1V @ 100µA,

শুভেচ্ছা

DMN63D8LV-7

পার্ট স্টক: 151779

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 260mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.8 Ohm @ 250mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

ZDM4306NTC

পার্ট স্টক: 2685

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 330 mOhm @ 3A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

DMC2990UDJ-7

পার্ট স্টক: 146844

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 450mA, 310mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 990 mOhm @ 100mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMN2050LFDB-13

পার্ট স্টক: 178082

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 mOhm @ 5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা