ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

EFC2J017NUZTDG

পার্ট স্টক: 166927

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 2.5V Drive, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.3V @ 1mA,

FDMS3669S

পার্ট স্টক: 164375

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 13A, 18A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 10 mOhm @ 13A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.7V @ 250µA,

EFC4627R-TR

পার্ট স্টক: 182266

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDG6332C

পার্ট স্টক: 126485

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 700mA, 600mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 300 mOhm @ 700mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

FDC6303N

পার্ট স্টক: 175306

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 680mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

FW216A-TL-2WX

পার্ট স্টক: 3039

ECH8691-TL-W

পার্ট স্টক: 147834

NVMFD5489NLWFT3G

পার্ট স্টক: 97513

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 65 mOhm @ 15A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

FDS6961A

পার্ট স্টক: 151064

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 90 mOhm @ 3.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

NVMFD5C478NLWFT1G

পার্ট স্টক: 6481

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10.5A (Ta), 29A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 14.5 mOhm @ 7.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 20µA,

FDMD8280

পার্ট স্টক: 48032

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 80V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 11A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 8.2 mOhm @ 11A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

EFC4621R-TR

পার্ট স্টক: 191534

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

FDG6304P-X

পার্ট স্টক: 2943

CSD87334Q3D

পার্ট স্টক: 121075

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 20A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6 mOhm @ 12A, 8V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.2V @ 250µA,

CSD87503Q3ET

পার্ট স্টক: 4047

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Source, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10A (Ta), ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 250µA,

CSD88539ND

পার্ট স্টক: 153712

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 15A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 28 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.6V @ 250µA,

DMNH6021SPDQ-13

পার্ট স্টক: 153434

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8.2A, 32A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 mOhm @ 15A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

DMN61D8LVT-13

পার্ট স্টক: 146214

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 630mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 1mA,

ZXMHC10A07N8TC

পার্ট স্টক: 135940

FET প্রকার: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 800mA, 680mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 700 mOhm @ 1.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 250µA,

ZXMC3A16DN8TC

পার্ট স্টক: 118900

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.9A, 4.1A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 35 mOhm @ 9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA (Min),

DMP2075UFDB-7

পার্ট স্টক: 218

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.8A (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 75 mOhm @ 2.9A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.4V @ 250µA,

DMP1046UFDB-7

পার্ট স্টক: 127126

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 61 mOhm @ 3.6A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

SQJ844AEP-T1_GE3

পার্ট স্টক: 165127

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 16.6 mOhm @ 7.6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

SI4511DY-T1-E3

পার্ট স্টক: 3311

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.2A, 4.6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 14.5 mOhm @ 9.6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.8V @ 250µA,

SI5511DC-T1-GE3

পার্ট স্টক: 3024

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4A, 3.6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

SSM6N357R,LF

পার্ট স্টক: 16211

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 650mA (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.8 Ohm @ 150mA, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 1mA,

SSM6P35FE(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 121978

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 100mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 8 Ohm @ 50mA, 4V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 1mA,

GWM120-0075P3

পার্ট স্টক: 2981

FET প্রকার: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 75V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 118A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5.5 mOhm @ 60A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

FMP26-02P

পার্ট স্টক: 4082

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 200V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 26A, 17A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 60 mOhm @ 25A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 5V @ 250µA,

GWM180-004X2-SLSAM

পার্ট স্টক: 3050

FET প্রকার: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 180A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.5 mOhm @ 100A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4.5V @ 1mA,

SLA5060

পার্ট স্টক: 10412

FET প্রকার: 3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 220 mOhm @ 3A, 4V,

SLA5073

পার্ট স্টক: 12628

FET প্রকার: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 300 mOhm @ 3A, 4V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

EPC2104ENGRT

পার্ট স্টক: 13673

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: GaNFET (Gallium Nitride), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 23A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6.3 mOhm @ 20A, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 5.5mA,

EPC2101ENGRT

পার্ট স্টক: 13969

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: GaNFET (Gallium Nitride), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9.5A, 38A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 11.5 mOhm @ 20A, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 2mA,

IRF8915TRPBF

পার্ট স্টক: 198689

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 18.3 mOhm @ 8.9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

NX138BKSX

পার্ট স্টক: 123100

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 210mA (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,