ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

FDG6303N-F169

পার্ট স্টক: 2964

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 500mA (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 450 mOhm @ 500mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

NTZD3155CT1H

পার্ট স্টক: 142970

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 540mA, 430mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 550 mOhm @ 540mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

ECH8661-TL-HX

পার্ট স্টক: 3018

শুভেচ্ছা

FDMD8240L

পার্ট স্টক: 56888

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 23A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.6 mOhm @ 23A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDPC4044

পার্ট স্টক: 42785

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.3 mOhm @ 27A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDC6432SH

পার্ট স্টক: 2951

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.4A, 2.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 90 mOhm @ 2.4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

NDC7001C

পার্ট স্টক: 161454

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 510mA, 340mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2 Ohm @ 510mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMN3032LFDB-13

পার্ট স্টক: 198100

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 30 mOhm @ 5.8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMN33D8LDW-7

পার্ট স্টক: 111432

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 250mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 100µA,

শুভেচ্ছা

DMC1229UFDB-13

পার্ট স্টক: 127332

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.6A, 3.8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMC2041UFDB-7

পার্ট স্টক: 172534

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.7A, 3.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 40 mOhm @ 4.2A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.4V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMC1028UFDB-7

পার্ট স্টক: 102586

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, 3.4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 mOhm @ 5.2A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMTH6010LPD-13

পার্ট স্টক: 135904

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 13.1A (Ta), 47.6A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 11 mOhm @ 20A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMC4050SSDQ-13

পার্ট স্টক: 146703

FET প্রকার: N and P-Channel Complementary, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 mOhm @ 3A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.8V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

DMN3033LSDQ-13

পার্ট স্টক: 167988

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 20 mOhm @ 6.9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

ZXMHC3A01T8TA

পার্ট স্টক: 83555

FET প্রকার: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.7A, 2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 120 mOhm @ 2.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

ZXMN2A04DN8TC

পার্ট স্টক: 3343

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 mOhm @ 5.9A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 700mV @ 250µA (Min),

শুভেচ্ছা

ZXMN10A08DN8TA

পার্ট স্টক: 139574

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 250 mOhm @ 3.2A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 250µA (Min),

শুভেচ্ছা

SIZ328DT-T1-GE3

পার্ট স্টক: 221

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 25V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 11.1A (Ta), 25.3A (Tc), 15A (Ta), 30A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 15 mOhm @ 5A, 10V, 10 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SIZF916DT-T1-GE3

পার্ট স্টক: 281

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 23A (Ta), 40A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4 mOhm @ 10A, 10V, 1.25 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI7905DN-T1-E3

পার্ট স্টক: 73624

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 60 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI1900DL-T1-GE3

পার্ট স্টক: 337

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 630mA (Ta), 590mA (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 480 mOhm @ 590mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SISB46DN-T1-GE3

পার্ট স্টক: 104289

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 34A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 11.71 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SIZ988DT-T1-GE3

পার্ট স্টক: 16265

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 40A (Tc), 60A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 7.5 mOhm @ 10A, 10V, 4.1 mOhm @ 19A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.4V @ 250µA, 2.2V @ 250µA,

শুভেচ্ছা