ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

GWM160-0055X1-SMD

পার্ট স্টক: 2839

FET প্রকার: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 55V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 150A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3.3 mOhm @ 100A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4.5V @ 1mA,

GWM120-0075X1-SL

পার্ট স্টক: 2858

FET প্রকার: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 75V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 110A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.9 mOhm @ 60A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 4V @ 1mA,

SI4814BDY-T1-GE3

পার্ট স্টক: 2891

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10A, 10.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 18 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

SIZ998DT-T1-GE3

পার্ট স্টক: 24358

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), Schottky, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 20A (Tc), 60A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 6.7 mOhm @ 15A, 10V, 2.8 mOhm @ 19A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 250µA,

SIA917DJ-T1-GE3

পার্ট স্টক: 2760

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 110 mOhm @ 2.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

SI5504DC-T1-E3

পার্ট স্টক: 2750

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.9A, 2.1A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 85 mOhm @ 2.9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA (Min),

SI4966DY-T1-GE3

পার্ট স্টক: 70490

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

SI1970DH-T1-E3

পার্ট স্টক: 2698

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 225 mOhm @ 1.2A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.6V @ 250µA,

SI5943DU-T1-E3

পার্ট স্টক: 2795

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 64 mOhm @ 3.6A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

SI1035X-T1-GE3

পার্ট স্টক: 103062

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 180mA, 145mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 5 Ohm @ 200mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 400mV @ 250µA (Min),

SI9936BDY-T1-E3

পার্ট স্টক: 2912

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 35 mOhm @ 6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

SSM6L11TU(TE85L,F)

পার্ট স্টক: 2856

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 500mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 145 mOhm @ 250MA, 4V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.1V @ 100µA,

EMH2314-TL-H

পার্ট স্টক: 198673

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 37 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

NTLJD3183CZTBG

পার্ট স্টক: 2772

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.6A, 2.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 68 mOhm @ 2A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

NTHC5513T1G

পার্ট স্টক: 148927

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.9A, 2.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.2V @ 250µA,

NVJD5121NT1G

পার্ট স্টক: 163473

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 295mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.6 Ohm @ 500mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

MCH6606-TL-E

পার্ট স্টক: 2897

EFC6611R-TF

পার্ট স্টক: 136094

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 2.5V Drive,

NTHD3100CT1G

পার্ট স্টক: 110314

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.9A, 3.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 80 mOhm @ 2.9A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.2V @ 250µA,

FDS8958

পার্ট স্টক: 2722

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7A, 5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 28 mOhm @ 7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

FDC6020C_F077

পার্ট স্টক: 2752

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.9A, 4.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 27 mOhm @ 5.9A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

FDC6036P

পার্ট স্টক: 3318

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 44 mOhm @ 5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

FDD8424H_F085

পার্ট স্টক: 2811

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9A, 6.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 24 mOhm @ 9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

USB10H

পার্ট স্টক: 2674

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 1.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 170 mOhm @ 1.9A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

MCH6662-TL-H

পার্ট স্টক: 2857

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 160 mOhm @ 1A, 4.5V,

MCH6613-TL-E

পার্ট স্টক: 167978

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 350mA, 200mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 3.7 Ohm @ 80mA, 4V,

TMC1340-SO

পার্ট স্টক: 2899

FET প্রকার: 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.5A, 4.1A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 33 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

IRF7755TR

পার্ট স্টক: 2921

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 51 mOhm @ 3.7A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.2V @ 250µA,

IRF7379

পার্ট স্টক: 2654

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.8A, 4.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 45 mOhm @ 5.8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

IRF5851TRPBF

পার্ট স্টক: 2806

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.7A, 2.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 90 mOhm @ 2.7A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.25V @ 250µA,

IRF8910PBF

পার্ট স্টক: 77959

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 13.4 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.55V @ 250µA,

IRF7102

পার্ট স্টক: 2715

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 50V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

IRF9953PBF

পার্ট স্টক: 2737

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 250 mOhm @ 1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

IRF7341PBF

পার্ট স্টক: 71794

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 55V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 50 mOhm @ 4.7A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

PMGD8000LN,115

পার্ট স্টক: 2617

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 125mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 8 Ohm @ 10mA, 4V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 100µA,

EPC2102ENG

পার্ট স্টক: 2960

FET প্রকার: 2 N-Channel (Half Bridge), FET বৈশিষ্ট্য: GaNFET (Gallium Nitride), উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 23A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.4 mOhm @ 20A, 5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 7mA,