ট্রানজিস্টর - এফইটিটিস, এমওএসএফইটি - অ্যারে

NVMFD5873NLT1G

পার্ট স্টক: 73807

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 10A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 13 mOhm @ 15A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDS9958-F085

পার্ট স্টক: 26954

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 105 mOhm @ 2.9A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

FDS8858CZ

পার্ট স্টক: 153147

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8.6A, 7.3A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 17 mOhm @ 8.6A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

ECH8660-TL-H

পার্ট স্টক: 177854

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 59 mOhm @ 2A, 10V,

শুভেচ্ছা

IRF7905TRPBF

পার্ট স্টক: 187870

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 7.8A, 8.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 21.8 mOhm @ 7.8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.25V @ 25µA,

শুভেচ্ছা

IPG20N06S2L50AATMA1

পার্ট স্টক: 140292

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 55V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 20A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 50 mOhm @ 15A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2V @ 19µA,

শুভেচ্ছা

IRF9358TRPBF

পার্ট স্টক: 160762

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9.2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 16.3 mOhm @ 9.2A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.4V @ 25µA,

শুভেচ্ছা

IPG16N10S461ATMA1

পার্ট স্টক: 100256

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 16A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 61 mOhm @ 16A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.5V @ 9µA,

শুভেচ্ছা

IRFHM8363TRPBF

পার্ট স্টক: 191314

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 11A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 14.9 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.35V @ 25µA,

শুভেচ্ছা

IPG20N04S4L11AATMA1

পার্ট স্টক: 165940

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 20A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 11.6 mOhm @ 17A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 15µA,

শুভেচ্ছা

STMicroelectronics

STS1DNC45

পার্ট স্টক: 85375

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 450V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 400mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4.5 Ohm @ 500mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3.7V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

STMicroelectronics

STS8DNF3LL

পার্ট স্টক: 136676

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 20 mOhm @ 4A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SIA922EDJ-T1-GE3

পার্ট স্টক: 104410

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 64 mOhm @ 3A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.4V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI9926CDY-T1-E3

পার্ট স্টক: 125202

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 18 mOhm @ 8.3A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SQJ974EP-T1_GE3

পার্ট স্টক: 141603

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 100V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 30A (Tc), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 25.5 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI5504BDC-T1-GE3

পার্ট স্টক: 163985

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4A, 3.7A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 65 mOhm @ 3.1A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI7288DP-T1-GE3

পার্ট স্টক: 108168

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 40V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 20A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 19 mOhm @ 10A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.8V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI7900AEDN-T1-E3

পার্ট স্টক: 97121

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 900mV @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI4214DDY-T1-GE3

পার্ট স্টক: 102448

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 8.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 19.5 mOhm @ 8A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI5935CDC-T1-GE3

পার্ট স্টক: 154777

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 100 mOhm @ 3.1A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI5936DU-T1-GE3

পার্ট স্টক: 193614

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 6A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 30 mOhm @ 5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.2V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SI1025X-T1-GE3

পার্ট স্টক: 121434

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 190mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 4 Ohm @ 500mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

Nexperia USA Inc.

PMCXB1000UEZ

পার্ট স্টক: 169010

FET প্রকার: N and P-Channel Complementary, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 590mA (Ta), 410mA (Ta), আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 950mV @ 250µA,

শুভেচ্ছা

SH8M24TB1

পার্ট স্টক: 112720

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 45V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 4.5A, 3.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

UM6J1NTN

পার্ট স্টক: 145064

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 200mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 1.4 Ohm @ 200mA, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

QS8J13TR

পার্ট স্টক: 157844

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 5.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 22 mOhm @ 5.5A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

SH8M11TB1

পার্ট স্টক: 138257

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 30V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 3.5A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 98 mOhm @ 3.5A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 2.5V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

EM6K34T2CR

পার্ট স্টক: 122186

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, 0.9V Drive, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 50V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 200mA, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 2.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 800mV @ 1mA,

শুভেচ্ছা

ZDM4306NTA

পার্ট স্টক: 2658

FET প্রকার: 2 N-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 60V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 2A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 330 mOhm @ 3A, 10V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 3V @ 1mA,

শুভেচ্ছা

DMC1018UPD-13

পার্ট স্টক: 180420

FET প্রকার: N and P-Channel, FET বৈশিষ্ট্য: Standard, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 12V, 20V, কারেন্ট - ক্রমাগত ড্রেন (আইডি) @ 25 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড: 9.5A, 6.9A, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 17 mOhm @ 11.8A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 1.5V @ 250µA,

শুভেচ্ছা

ZXMD63P02XTA

পার্ট স্টক: 110973

FET প্রকার: 2 P-Channel (Dual), FET বৈশিষ্ট্য: Logic Level Gate, উত্স ভোল্টেজ নিষ্কাশন (Vdss): 20V, আরডিএস অন (সর্বাধিক) @ আইডি, ভিজিএস: 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V, ভিজিজ (তম) (সর্বাধিক) @ আইডি: 700mV @ 250µA (Min),

শুভেচ্ছা