অপটিকাল সেন্সর - প্রতিফলিত - এনালগ আউটপুট

OPB708

পার্ট স্টক: 33527

সংবেদনের দূরত্ব: 0.150" (3.81mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 40mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB755N

পার্ট স্টক: 2717

সংবেদনের দূরত্ব: 0.220" (5.59mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 24V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB740

পার্ট স্টক: 37779

সংবেদনের দূরত্ব: 0.150" (3.81mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 40mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB750T

পার্ট স্টক: 17828

সংবেদনের দূরত্ব: 0.220" (5.59mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 24V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB741WZ

পার্ট স্টক: 19773

সংবেদনের দূরত্ব: 0.150" (3.81mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 40mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB755TAZ

পার্ট স্টক: 16927

সংবেদনের দূরত্ব: 0.220" (5.59mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 24V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB608V

পার্ট স্টক: 7738

সংবেদনের দূরত্ব: 0.050" (1.27mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 25mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 12mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB710F

পার্ট স্টক: 9140

সংবেদনের দূরত্ব: 0.250" (6.35mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 25mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB702R

পার্ট স্টক: 29649

সংবেদনের দূরত্ব: 0.150" (3.81mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 15V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Transistor, Base-Emitter Resistor,

OPB742W

পার্ট স্টক: 2735

সংবেদনের দূরত্ব: 0.150" (3.81mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 40mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

OPB706C

পার্ট স্টক: 43602

সংবেদনের দূরত্ব: 0.050" (1.27mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 24V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 25mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

CNB13020S0LF

পার্ট স্টক: 2748

সংবেদনের দূরত্ব: 0.039" (1mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

RPR-220PC30N

পার্ট স্টক: 11549

সংবেদনের দূরত্ব: 0.236" (6mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 30mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

Z4D-F04A

পার্ট স্টক: 151

EE-SY124

পার্ট স্টক: 2709

সংবেদনের দূরত্ব: 0.039" (1mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

EE-SY1200

পার্ট স্টক: 48893

সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

EE-SY201

পার্ট স্টক: 2779

সংবেদনের দূরত্ব: 0.157" (4mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 24V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 15mA, আউটপুট প্রকার: Photodarlington,

QRD1113

পার্ট স্টক: 38545

সংবেদনের দূরত্ব: 0.050" (1.27mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

QRC1113

পার্ট স্টক: 2734

সংবেদনের দূরত্ব: 0.150" (3.81mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

QRB1133

পার্ট স্টক: 2798

সংবেদনের দূরত্ব: 0.150" (3.81mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

QRB1134

পার্ট স্টক: 2734

সংবেদনের দূরত্ব: 0.150" (3.81mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

EAITRDA7

পার্ট স্টক: 191169

সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

ITR8307/TR8

পার্ট স্টক: 157364

সংবেদনের দূরত্ব: 0.039" (1mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

ITR8307

পার্ট স্টক: 182031

সংবেদনের দূরত্ব: 0.039" (1mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 50mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

HOA2498-002

পার্ট স্টক: 6173

সংবেদনের দূরত্ব: 0.250" (6.35mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

HOA1397-031

পার্ট স্টক: 2711

সংবেদনের দূরত্ব: 0.05" (1.27mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 15V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 30mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 20mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

HOA1405-001

পার্ট স্টক: 11061

সংবেদনের দূরত্ব: 0.2" (5.08mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

SFH 9202-Z

পার্ট স্টক: 4343

সংবেদনের দূরত্ব: 0.197" (5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 30V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 10mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

SFH 9206

পার্ট স্টক: 173263

সংবেদনের দূরত্ব: 0.039" ~ 0.197" (1mm ~ 5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 16V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 10mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

SFH 7072

পার্ট স্টক: 50007

সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, আউটপুট প্রকার: Photodiode,

GP2A230LRSAF

পার্ট স্টক: 2719

সংবেদনের দূরত্ব: 0.039" ~ 0.354" (1mm ~ 9mm) ADJ, সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, আউটপুট প্রকার: Photodiode,

GP2S60

পার্ট স্টক: 184335

সংবেদনের দূরত্ব: 0.028" (0.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

GP2S27TJ000F

পার্ট স্টক: 2724

সংবেদনের দূরত্ব: 0.028" (0.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

GP2S24CJ000F

পার্ট স্টক: 2724

সংবেদনের দূরত্ব: 0.028" (0.7mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 35V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 50mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,

TCND5000

পার্ট স্টক: 63285

সংবেদনের দূরত্ব: 0.079" ~ 0.984" (2mm ~ 25mm) ADJ, সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 100mA, আউটপুট প্রকার: PIN Photodiode,

VCNT2020

পার্ট স্টক: 114

সংবেদনের দূরত্ব: 0.02" (0.5mm), সেন্সিং পদ্ধতি: Reflective, ভোল্টেজ - সংগ্রাহক ইমিটার ব্রেকডাউন (সর্বোচ্চ): 20V, বর্তমান - সংগ্রাহক (আইসি) (সর্বোচ্চ): 20mA, কারেন্ট - ডিসি ফরোয়ার্ড (যদি) (সর্বাধিক): 100mA, আউটপুট প্রকার: Phototransistor,